[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880098780.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112930595A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 谷本智;山下真理 | 申请（专利权）人： | 株式会社日产ARC |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：基体(10)、在基体(10)的上表面配置的半导体芯片(40)、覆盖半导体芯片(40)的密封树脂(80)、在密封树脂(80)的上部的一部分中埋入且上表面向密封树脂(80)的外部露出的环状栓(70)、以及具有贯通环状栓(70)并在与基体(10)的上表面垂直的方向上延伸的垂直部分、且下端在密封树脂(80)的内部与半导体芯片(40)的电极电连接、上端向密封树脂(80)的外侧露出的立起端子(61)。在立起端子(61)的垂直部分的侧面的周围固着有密封栓(70)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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