[发明专利]信号检测电路和信号检测方法有效
| 申请号： | 201910114449.3 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110174177B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖;道关隆国;田中亚实 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/35 | 分类号： | G01J5/35;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于英慧;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 信号检测电路和信号检测方法。信号检测电路具有：第1p沟道型MOS晶体管，其源极经由第1电流限制部与电源端子连接，栅极与输入端子连接，漏极经由电流电压转换部接地；第1n沟道型MOS晶体管，其漏极经由电阻与电源端子连接，栅极与输入端子连接，源极经由第2电流限制部接地；以及第2n沟道型MOS晶体管，其漏极跟电阻与第1n沟道型MOS晶体管的漏极的第1连接点连接，栅极跟第1p沟道型MOS晶体管的漏极与第3电流限制部的第2连接点连接，源极接地。 | ||
| 搜索关键词： | 信号 检测 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种信号检测电路，其特征在于，所述信号检测电路具有：第1p沟道型MOS晶体管，其源极经由第1电流限制部与电源端子连接，栅极被输入根据输入电压的电压电平的变化而变化的电压，漏极经由电流电压转换部接地；第1n沟道型MOS晶体管，其漏极经由电阻与所述电源端子连接，栅极被输入根据所述输入电压的电压电平的变化而变化的电压，源极经由第2电流限制部接地；以及第2n沟道型MOS晶体管，其漏极跟所述电阻与所述第1n沟道型MOS晶体管的漏极的第1连接点连接，栅极跟所述第1p沟道型MOS晶体管的漏极与所述电流电压转换部的第2连接点连接，源极接地。
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