[发明专利]一种多元高熵合金薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910280504.6 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN109988998A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 宋忠孝;从中浩;宋宝睿;李雁淮;李茜 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/34
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种多元高熵合金薄膜的制备方法,包括步骤:将硅片基底清洗;将清洗好的硅片基底吹干;将硅片基底置于进样室进行反溅;将硅片基底传入溅射室内,所需金属单质靶材分别置于靶盘上,加热烘烤腔体,抽真空;通入Ar气,将靶材接入电源,设置溅射功率和偏压,调整工作气压,预溅射;打开硅片基底挡板,之后打开自转,开始溅射;溅射结束,依次关闭电源,偏压,停止通入氩气,之后继续抽真空,后取出冷却的硅片基底,基底上既能得到该耐腐蚀高熵合金薄膜。本发明溅射速率稳定,获得厚度均匀的耐腐蚀高熵合金薄膜材料;制备过程中使用单质金属靶材,降低了高熵合金薄膜的制备成本;操作简单,极大推广耐腐蚀高熵合金薄膜的应用。
搜索关键词: 硅片 基底 薄膜 高熵合金 耐腐蚀 靶材 溅射 制备 多元高熵合金 抽真空 挡板 氩气 薄膜材料 单质金属 工作气压 关闭电源 厚度均匀 基底清洗 加热烘烤 溅射功率 接入电源 金属单质 制备过程 进样室 预溅射 靶盘 吹干 腔体 自转 冷却 清洗 取出 室内 应用
【主权项】:
1.一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将单面抛光的硅片清洗;2)将清洗好的硅片基底吹干,使其表面没有任何水渍;3)将硅片基底置于进样室进行反溅,进一步去除材料表面杂质,从而提高基底表面质量;4)将硅片基底传入溅射室内,所需金属单质靶材分别置于靶盘上,加热烘烤腔体,抽真空至4.0×10‑4~5.0×10‑5Pa;5)通入Ar气,将靶材接入电源,设置溅射功率和偏压,调整工作气压至4.5×10‑1Pa,预溅射15~20min,用于清理靶材表面的杂质,提高靶材的纯度;6)打开硅片基底挡板,之后打开自转,开始溅射;7)溅射结束,依次关闭电源,偏压,停止通入氩气,之后继续抽真空,后取出冷却的硅片基底,基底上既能得到该耐腐蚀高熵合金薄膜。
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  • 2019-01-07 - 2019-06-07 - C23C14/16
  • 本揭露涉及一种真空镀膜机及复合涂层的镀膜方法。一种真空镀膜机,包括:腔体;真空抽气装置用于使腔体内形成真空环境;工件架设置于腔体内以用于承载待处理模具;驱动装置用于驱动工件架转动;加热器设置于腔体内且与腔体绝缘并对待处理模具加热;一或多个矩形多弧阴极离子源设置于腔体内,矩形多弧阴极离子源包括阴极座体和靶材,阴极座体与腔体绝缘,靶材设置于阴极座体内表面;阳极盘部分设置于腔体内且与腔体绝缘;空心阴极离子源与阳极盘相对应且部分设置于腔体内;空心阴极电源,其中阳极盘与空心阴极电源的阳极电连接,空心阴极离子源与空心阴极电源的阴极电连接;空心阴极电源使阳极盘和空心阴极离子源之间产生电子和电场。
  • 具有高垂直偏置场及大翻转场平台的复合多层膜结构-201710717721.8
  • 王可;徐展;王亚宏 - 华侨大学
  • 2017-08-21 - 2019-06-04 - C23C14/16
  • 本发明公开了一种具有高垂直偏置场及大翻转场平台的复合多层膜结构及其制备方法,由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁金属隔离层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成;薄膜I是XFeCo硬磁合金材料,厚度为7.5‑30nm,其中X是稀土元素Tb或Dy且原子百分比不低于25.5%;薄膜II是GdFeCo软磁合金材料,厚度为7.5‑30nm,其Gd元素的原子百分比不高于24.5%;薄膜I和薄膜II的易磁化方向均垂直膜面。薄膜I和II富相相反,可以产生稳定的反铁磁耦合结构,利用隔离层的部分退耦及层间交换耦合作用,不需场冷处理就可在该硬/软复合多层膜材料中产生较高的垂直偏置场及大的翻转场平台,可作为垂直巨磁阻或自旋阀的核心结构材料应用到垂直磁电器件中。
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