[发明专利]嵌入式闪存的制作方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式闪存的制作方法，包括：提供一基底，基底包括逻辑区和存储区，存储区上形成有前端结构；对逻辑区进行离子注入，以在其内形成第一器件的第一阱区，第二器件的第二阱区和第三器件的漂移区；依次形成覆盖存储区和逻辑区的栅氧层和多晶硅层，形成图案化的第二光阻层并以其为掩膜，对多晶硅层进行第一次刻蚀，以形成开口；对开口进行离子注入工艺，以形成第三器件的第三阱区；去除图案化的第二光阻层；形成图案化的第三光阻层并以其为掩膜，对多晶硅层进行第二次刻蚀，以分别在前端结构的两侧形成字线栅，在逻辑区上形成第一器件的第一栅极结构，第二器件的第二栅极结构和第三器件的第三栅极结构。本发明降低了制备成本。

主权项

1.一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，所述基底包括逻辑区和存储区，所述存储区上形成有前端结构；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述逻辑区和所述存储区；/n形成图案化的第一光阻层，以所述图案化的第一光阻层为掩膜，对所述逻辑区进行离子注入工艺，以在所述逻辑区的所述基底内形成第一器件的第一阱区、第二器件的第二阱区和第三器件的漂移区；/n去除所述图案化的第一光阻层和所述牺牲层；/n依次形成栅氧层和多晶硅层，所述栅氧层和多晶硅层覆盖所述存储区和所述逻辑区；/n形成图案化的第二光阻层，以所述图案化的第二光阻层为掩膜，对所述多晶硅层进行第一次刻蚀，以在所述多晶硅层内形成开口，所述开口的底部暴露出所述栅氧层；/n对所述开口进行离子注入工艺，以在所述逻辑区的所述基底内形成所述第三器件的第三阱区；/n去除所述图案化的第二光阻层；/n形成图案化的第三光阻层，以所述图案化的第三光阻层为掩膜，对所述多晶硅层进行第二次刻蚀，以分别在所述前端结构的两侧形成字线栅，在所述逻辑区上形成所述第一器件的第一栅极结构、所述第二器件的第二栅极结构和所述第三器件的第三栅极结构。/n