[发明专利]存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质有效

专利信息
申请号: 201911165528.3 申请日: 2019-11-25
公开(公告)号: CN111081303B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 许锋;李达;王明;靳磊 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质,存储器编程方法包括:1)采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程,编程状态越低对应的有效初始编程电压越小;2)验证各存储单元是否完成编程,并对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程,同一次编程中编程状态越低对应的有效编程电压越小,所以我们可以在编程时,对不同的编程态采用不同的有效编程电压。本发明对于较低编程态,使用较低编程电压,避免过编程现象;对于较高编程态,使用较高有效编程电压,可以减少编程脉冲个数,降低编程时间,芯片写入速度更快。
搜索关键词: 存储器 编程 方法 装置 电子设备 计算机 可读 存储 介质
【主权项】:
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