[发明专利]包含铁电材料的凹陷晶体管有效
申请号: | 201911294882.6 | 申请日: | 2015-07-08 |
公开(公告)号: | CN111092083B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H10B51/30 | 分类号: | H10B51/30;H01L21/28;H10B51/20;H10B41/30;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/788 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及包含铁电材料的凹陷晶体管。一些实施例含括晶体管构造,其具有内衬在基底内的凹槽中的第一绝缘结构。第一导电结构内衬在所述第一绝缘结构的内部中,且铁电结构内衬在所述第一导电结构的内部中。第二导电结构位于所述铁电结构的下部区域内,且所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面。第二绝缘结构位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内。一对源极/漏极区域相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。 | ||
搜索关键词: | 包含 材料 凹陷 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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