[发明专利]分析电缆绝缘缺陷的方法和装置、存储介质及处理器在审
申请号: | 201911330996.1 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111060788A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 苗旺;刘弘景;吴麟琳;黄山;刘可文 | 申请(专利权)人: | 国网北京市电力公司;国家电网有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 董文倩 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种分析电缆绝缘缺陷的方法和装置、存储介质及处理器。该发明包括:搭建电缆仿真模型,并获取第一场强分布图,其中,第一场强分布图是电缆仿真模型的电磁场场强分布图;将预设缺陷增加至电缆仿真模型,并获取第二场强分布图,其中,第二场强分布图为加入预设缺陷后电缆仿真模型的电磁场场强分布图;根据第一场强分布图和第二场强分布图,获取电缆在预设缺陷下的场强变化特征。通过本发明,解决了相关技术中检测电缆绝缘状态手段的抗干扰能力差的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 分析 电缆 绝缘 缺陷 方法 装置 存储 介质 处理器 | ||
【主权项】:
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