[发明专利]一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片及制备方法在审
申请号: | 201911424589.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111180538A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 杜俊霖;韩安军;孙林;付昊鑫 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 戴立亮 |
地址: | 610000 四川省成都市双流区中国(*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及太阳电池领域,公开了一种具有金字塔叠加结构的单晶硅片及制备方法,原硅片通过溶液a进行清洗后,在通过溶液b进行各向异性腐蚀,得到大金字塔绒面,再通过溶液c进行二次制绒后,使原有的大金字绒面上形成尺寸较小的小金字塔绒面,且大金字塔的表面从上到下依次叠加的有小金字塔,从而形成金字塔单元,因金字塔单元覆盖在硅片的表面,且是叠加的,所以该单晶硅片不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点,也具备了小金字塔反射率低、短路电流高的优点。本发明的单晶硅片绒面为不同大小的金字塔叠加结构,不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点,也具备了小金字塔反射率低、短路电流高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 金字塔 叠加 结构 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的