[实用新型]高压功率二极管

摘要

高压功率二极管包括：P型半导体衬底；设置在半导体衬底上的P型外延层；设置在外延层下部、沿水平方向延伸的N型隔离层；设置在外延层上表面的氧化物隔离层，氧化物隔离层将外延层限定为阳极区和阴极区；设置在外延层上表面上且在阳极区中的N型导电性第一阱，其配置成电连接到阳极端子；设置在外延层上表面上且在阴极区中的P型导电性第二阱，其配置为电连接到阴极端子；设置在外延层的上表面上和第二阱在水平方向间隔开的保护环结构，该保护环结构包括第三阱和与阳极端子电连接的护环端子，第三阱具有水平方向布置的N型导电性第一子阱、P型导电性第二子阱和N型导电性第三子阱；以及设置在外延层上表面的与保护环结构水平间隔的P‑子区。

主权项

1.高压功率二极管，其特征在于，包括：P型半导体衬底；P型外延层，其设置在所述半导体衬底上；N型隔离层，其设置在所述外延层的下部，所述隔离层沿水平方向延伸；氧化物隔离层，其设置在所述外延层的上表面，所述氧化物隔离层将所述外延层限定为阳极区和阴极区；N型导电性的第一阱，其设置在所述外延层的上表面上且在所述阳极区中，所述第一阱配置成电连接到阳极端子；P型导电性的第二阱，其设置在所述外延层的上表面上且在所述阴极区中，所述第二阱配置为电连接到阴极端子；保护环结构，其设置在所述外延层的上表面上且与第二阱在水平方向上间隔开，所述保护环结构包括第三阱和与所述阳极端子电连接的护环端子，所述第三阱具有沿水平方向布置的N型导电性的第一子阱、P型导电性的第二子阱和N型导电性的第三子阱；以及P‑子区，其设置在所述外延层的上表面以与所述保护环结构水平间隔。