[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

摘要

一种存储器阵列，其包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和字线层。所述字线层包括个别存储器单元的栅极区。所述栅极区个别地包括所述字线层中的个别者中的字线的部分。沟道材料竖向延伸穿过所述绝缘层和所述字线层。所述个别存储器单元包括横向地位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。所述字线中的个别者包括相对的横向外侧纵向边缘。所述纵向边缘个别地包括横向延伸到所述相应个别字线中的纵向拉长的凹槽。公开了方法。