[发明专利]光学邻近矫正方法及相关装置、掩模板在审
申请号: | 202010071766.4 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN113219783A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 程锋;李亮;杜杳隽 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明实施例提供了一种光学邻近矫正方法及相关装置、掩模板,方法包括根据主图形的设置和预定的插入规则,插入初始辅助图形,得到初始掩模板图形;查找初始掩模板图形中的问题主图形,并记问题主图形的查找次数加1;确定各个问题主图形的可删除初始辅助图形和替换辅助图形,删除可删除初始辅助图形,插入并冻结替换辅助图形,得到替换掩模板图形,直至查找次数达到预定次数或者在替换掩模板图形中不能找到问题主图形,得到目标掩模板图形,其中,替换辅助图形到问题主图形的投影系数大于或等于投影系数阈值。本发明实施例可以为提高辅助图形设置的合理性,以满足光学邻近矫正的要求。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 矫正 方法 相关 装置 模板 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备