[发明专利]一种数据写入读取方法、装置及系统有效
申请号: | 202010176209.9 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN111508535B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 郑超;刘晟 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G11B9/10 | 分类号: | G11B9/10 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 胡艳娟 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种数据写入读取方法、装置及系统,该方法提高了数据存储密度。该方法应用于数据存储系统,该存储系统包括处理器、带电粒子束激发调制组件以及记录介质,该方法由处理器执行,该数据写入方法包括:获取待写入数据;根据待写入数据控制带电粒子束激发调制组件产生具有目标调制特征的带电粒子束组;控制该带电粒子束组中的带电粒子束作用于记录介质,以使记录介质中的目标区域产生与待写入数据对应的目标记录特征。该数据读取方法包括:控制带电粒子束组中的带电粒子束作用于记录介质的作用区域,以确定目标区域的目标记录特征;根据确定的目标区域的目标记录特征,读取所述待读取数据。 | ||
搜索关键词: | 一种 数据 写入 读取 方法 装置 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010176209.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种数据写入读取方法、装置及系统-202010176209.9
- 郑超;刘晟 - 华为技术有限公司
- 2020-03-13 - 2021-08-13 - G11B9/10
- 本申请公开了一种数据写入读取方法、装置及系统,该方法提高了数据存储密度。该方法应用于数据存储系统,该存储系统包括处理器、带电粒子束激发调制组件以及记录介质,该方法由处理器执行,该数据写入方法包括:获取待写入数据;根据待写入数据控制带电粒子束激发调制组件产生具有目标调制特征的带电粒子束组;控制该带电粒子束组中的带电粒子束作用于记录介质,以使记录介质中的目标区域产生与待写入数据对应的目标记录特征。该数据读取方法包括:控制带电粒子束组中的带电粒子束作用于记录介质的作用区域,以确定目标区域的目标记录特征;根据确定的目标区域的目标记录特征,读取所述待读取数据。
- 束记录装置和束调整方法-200780018733.6
- 北原弘昭;和田泰光 - 先锋株式会社
- 2007-03-23 - 2009-06-03 - G11B9/10
- 一种电子束记录装置,其用于在旋转上面放置有基底的转盘时朝所述基底发射电子束。所述记录装置包括:位移探测单元,包括以各自不同的角度安置于所述转盘的径向方向上的至少三个位移传感器;形状推算单元,用于基于由所述至少三个位移传感器所探测的位移,来推算与所述转盘的侧表面在所述径向方向上的位移对应的形状数据;旋转跳动计算单元,用于基于所述形状数据和由所述至少三个位移传感器探测的至少一个位移来计算所述转盘的包括旋转异步分量和旋转同步分量的旋转跳动;以及束照射位置调整单元,用于基于所述旋转跳动来调整所述电子束的照射位置。
- 信息存储介质及其制造方法以及信息存储设备-200810005438.3
- 洪承范;西蒙·比尔曼;田信爱;左圣薰;张银珠;金容宽 - 三星电子株式会社
- 2008-02-04 - 2008-08-13 - G11B9/10
- 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括:导电层;第一绝缘层,形成于该导电层上;纳米晶层,形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子;以及第二绝缘层,形成于该纳米晶层上。
- 利用电子自旋相关的散射读取数据的装置及其方法-200610059109.8
- 金成栋 - 三星电子株式会社
- 2003-06-30 - 2006-09-13 - G11B9/10
- 本发明提供了一种磁记录介质、和一种利用电子的自旋相关的散射读取数据的装置和方法。该装置包括探针、磁记录介质、控制单元、和测量单元。探针通过肖特基结、或隧道势垒发射热电子。磁记录介质包括基底、在基底上的第一磁层、在第一磁层上的非磁层、和在非磁层上的第二磁层,所述第二磁层具有与第一磁层的磁化方向平行、或反向平行的磁化方向。控制单元向探针施加电压,以便探针可以发射热电子。测量单元通过检测在基底的输出电流,来读取记录在磁记录介质上的数据,所述输出电流按照第一和第二磁层的磁化的平行、或反向平行状态而变化。
- 数据记录介质-200510124747.9
- 柳寅儆;崔原凤;辛铉正 - 三星电子株式会社
- 2002-08-13 - 2006-07-12 - G11B9/10
- 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤:制备具有数据记录层的介质,在该层中通过电子吸收产生相变;在离数据记录层预定间隔处,根据用于记录的数据,用电子发生源产生电子;在电子路径上形成磁场,并回旋加速移动电子;以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上,以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层,因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏,且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上,于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小,使得数据记录密度最大。
- 一种存储介质及其制备方法-200410103477.9
- 刘忠范;陈海峰;彭海琳;于学春;冉纯博;雷晓钧 - 北京大学
- 2004-12-30 - 2006-07-05 - G11B9/10
- 本发明公开了一种存储介质及其制备方法。本发明所提供的存储介质,是在电荷转移复合物上设有纳米尺度的信息孔阵,所述信息孔的直径为3-30nm;所述电荷转移复合物的电子受体为7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌或其衍生物,所述电荷转移复合物的电子给体选自四硫富瓦烯、四硫富瓦烯衍生物、有机铵、烷基取代的吗啉、烷基取代的吡啶、有机磷化合物或有机硫化合物。按如下过程进行制备:将电荷转移复合物固定于扫描隧道显微镜上,启动扫描隧道显微镜的刻写模式,控制扫描隧道显微镜的针尖的运动,在电荷转移复合物和针尖之间施加电压脉冲,在电荷转移复合物上写入信息孔阵。本发明的存储介质具有存储密度高,稳定性好等优点。
- 专利分类
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法、数据系统、接收设备和数据读取方法
- 数据记录方法、数据记录装置、数据记录媒体、数据重播方法和数据重播装置
- 数据发送方法、数据发送系统、数据发送装置以及数据结构
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法及数据系统
- 数据嵌入装置、数据嵌入方法、数据提取装置及数据提取方法
- 数据管理装置、数据编辑装置、数据阅览装置、数据管理方法、数据编辑方法以及数据阅览方法
- 数据发送和数据接收设备、数据发送和数据接收方法
- 数据发送装置、数据接收装置、数据收发系统、数据发送方法、数据接收方法和数据收发方法
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置