[发明专利]一种半导体器件模型参数的优化方法在审
申请号: | 202011528124.9 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112560376A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 余小兵;樊晓斌;朱艳 | 申请(专利权)人: | 成都华大九天科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/3308 | 分类号: | G06F30/3308 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 王金双 |
地址: | 610200 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种半导体器件模型参数的优化方法,包括以下步骤:1)获取模型参数表;2)获取测试数据和模型参数表仿真数据的误差率;依次获取模型参数表中的模型参数,并利用每一个模型每一个参数表的参数的上限调整数值和下限调整数值进行仿真得到每一个参数表的参数的上限误差率和下限误差率;3)将获取测试数据的仿真数据和模型参数表仿真数据的误差率与每一个参数表的参数的上限误差率和下限误差率作比较,获得每一个优化参数,并记录模型参数修改数;4)若模型参数修改数等于0,则得到最终的模型参数表。本发明的优化方法,能够在参数互相影响下依然能达到最优的结果,在出现异常仿真数据后立刻放回到原值,保证了自动提取过程的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 模型 参数 优化 方法 | ||
【主权项】:
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