[发明专利]具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器在审

专利信息
申请号: 202080086489.2 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN114787925A 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: R·卢奇;A·安提波夫 申请(专利权)人: 微软技术许可有限责任公司
主分类号: G11C11/44 分类号: G11C11/44;G11C11/16;H01L39/22;H03K19/195;H03K19/0944
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 美国华*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器单元。示例存储器单元包括第一超导电极、第二超导电极以及布置在两个超导电极之间的基于半导体的磁自旋阀。基于半导体的磁自旋阀包括半导体层和第一铁磁绝缘体,第一铁磁绝缘体被布置在半导体层附近,被布置在半导体层的第一侧上,被配置为提供在第一方向上定向的固定磁化。基于半导体的磁自旋阀还包括第二铁磁绝缘体,第二铁磁绝缘体被布置在半导体层的与第一侧相对的第二侧上,被配置为提供在第一方向、或者与第一方向相对的第二方向上定向的自由磁化,以便控制与从第一超导电极、通过半导体层到第二超导电极的电流的流动相关联的参数。
搜索关键词: 具有 基于 半导体 自旋 约瑟夫 磁性 存储器
【主权项】:
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