[发明专利]存储器件和形成存储器件的方法有效
| 申请号： | 202110126850.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113394232B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 吕俊颉;杨世海;杨柏峰;林佑明;徐志安;贾汉中;王晨晨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H10B51/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成存储器件的方法，包括：在衬底上方依次形成第一层堆叠件和第二层堆叠件，第一层堆叠件和第二层堆叠件具有相同的层状结构，层状结构包括介电材料，介电材料上方的沟道材料，以及沟道材料上方的源极/漏极材料；形成贯穿第一层堆叠件和第二层堆叠件的开口；通过用第一介电材料替换由开口所暴露的源极/漏极材料的部分，形成内部间隔件；用铁电材料做开口的侧壁的衬里；通过用导电材料填充开口以形成栅电极；形成穿过第一层堆叠件和第二层堆叠件的凹槽，凹槽从第二层堆叠件的侧壁朝向栅电极延伸；以及用第二介电材料填充凹槽。根据本申请的实施例，还提供了存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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