[发明专利]TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
| 申请号： | 202110438763.4 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113192985A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 汤富雄;艾飞;罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种TFT基板及其制备方法、显示面板及显示装置，TFT基板包括衬底基板；第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构，第一金属氧化物结构和第二金属氧化物结构间隔设置于衬底基板；第一金属结构设置于第一金属氧化物结构，第一金属氧化物结构包括靠近第一金属结构的第一导体化结构；第二金属结构和第三金属结构，第二金属结构和第三金属结构间隔设置于第二金属氧化物结构，第二金属氧化物结构包括靠近第二金属结构的第二导体化结构和靠近第三金属结构的第三导体化结构；第一栅极绝缘层设置于衬底基板、第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构和第二金属氧化物结构未被第一金属结构和第二金属结构覆盖的部分。本申请可降低制程复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | tft 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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