[发明专利]一种叠层太阳电池及其制备方法在审

申请号：	202110446726.8	申请日：	2021-04-25
公开（公告）号：	CN113013277A	公开（公告）日：	2021-06-22
发明（设计）人：	夏锐;陈艺绮;王尧;刘成法;邹杨;陈达明;陈奕峰	申请（专利权）人：	天合光能股份有限公司
主分类号：	H01L31/078	分类号：	H01L31/078;H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0216;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/44
代理公司：	北京品源专利代理有限公司 11332	代理人：	巩克栋
地址：	213031 江苏省常***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明提供了一种叠层太阳电池及其制备方法，所述的太阳电池包括层叠设置的TOPCon电池和钙钛矿太阳电池；所述的TOPCon电池包括硅片层，所述硅片层的一侧表面层叠设置有扩散硅层和钝化层，所述硅片层的另一侧表面层叠设置有隧穿层和多晶硅层；所述多晶硅层远离隧穿层的表面与所述钙钛矿太阳电池远离电极的一侧贴合。本发明以TOPCon电池倒置作为底电池，并在TOPCon电池的背面生长钙钛矿太阳电池，具有结构简单、方便制备、成本低和光电光电转化效率高等特点。
搜索关键词：	一种太阳电池及其制备方法
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申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/078
摘要：一种用于制造包括硅基底部太阳能电池(2)和薄膜顶部太阳能电池(11)的双端或三端串联太阳能电池的方法；该方法包括：设置具有前表面和后表面的硅衬底(3)；执行一系列步骤，包括：在前表面上生成载流子提取层堆叠部(16)，载流子提取层叠层(16)至少包括在衬底的前表面上或衬底的前表面中形成的载流子提取层(8)；在后表面上生成钝化涂层，包括沉积第一AlOx层(9)；在前表面上的载流子提取层堆叠部上生成包括第二AlOx层(6)的牺牲层堆叠部；在后表面上生成金属基电基础部(7)，包括退火步骤；从载流子提取叠层中去除牺牲层堆叠部，并在载流子提取层堆叠部上生成薄膜顶部太阳能电池。

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摘要：本发明涉及一种二端叠层电池(1)，其包括：‑硅底电池(2)，其包括硅层(5)、配置为连接到第一端子的后部接触部(3)和前部接触部(7)；‑钙钛矿顶电池(4)，其包括钙钛矿层(15)和覆盖层(17)，其中，所述钙钛矿顶电池包括由第一载流子传输层(9)和第二载流子传输层(13)制成的相间的背部接触部，所述第一载流子传输层被布置在所述硅底电池(2)的前部接触部(7)上，以产生重组层和隧道结的界面，所述第二载流子传输层(13)被配置为连接到第二端子，以及其中，布置有绝缘层(11)，所述绝缘层(11)在一侧布置在所述硅底电池(2)与所述第二载流子传输层(13)之间、在另一侧布置在所述第一载流子传输层(9)与所述第二传输层(13)之间。

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摘要：本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法。该叠层太阳能电池包括顶电池、底电池以及位于顶电池和底电池之间的导电复合层，导电复合层包括钝化绝缘层和导电薄膜层，钝化绝缘层覆盖底电池的正面和侧面，且钝化绝缘层覆盖底电池的正面的部分在厚度方向上开设有若干贯通孔，导电薄膜层包括相连接的第一部分和第二部分，第一部分穿过贯通孔并与底电池电接触，第二部分位于钝化绝缘层和顶电池之间且与顶电池电接触。通过在顶电池和底电池之间设置由钝化绝缘层和导电薄膜层交叠组成的导电复合层，在实现顶电池和底电池电连接的同时，可防止顶电池和底电池发生短路漏电，同时钝化绝缘层还可以对电池起到钝化作用和对入射光的减反作用。

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申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/078
摘要：串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。

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申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本申请提供一种具有铁电隧道结串联结构的叠层电池，所述叠层电池包括依次层叠设置的上层电池、铁电隧道结和下层电池，所述上层电池靠近所述铁电隧道结的一面具有上层电池载流子传输层，所述下层电池靠近所述铁电隧道结的一面具有下层电池载流子传输层，所述上层电池载流子传输层和所述下层电池载流子传输层的导电类型相反，其中，铁电隧道结使所述上层电池和所述下层电池串联，所述铁电隧道结包括铁电层。本申请的叠层电池具可以有效降低光生载流子在穿越重掺N区和P区时的非辐射复合，从而进一步提高叠层电池转换效率。

一种砷化镓太阳能电池外延结构及其生长方法-201811548022.6
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申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明涉及一种砷化镓太阳能电池外延结构及其生长方法，所述电池包括依次层叠设置的Ge底电池、GaAs中电池和GaInP顶电池，所述GaAs中电池和所述GaInP顶电池中均包括背层和发射层；所述GaAs中电池的背层包括delta掺杂的p型GaInP层，发射层包括delta掺杂的n型GaAs层；所述GaInP顶电池的背层包括delta掺杂的p型GaInP层，发射层包括delta掺杂的n型GaInP层。本发明的太阳能电池外延结构，中电池、顶电池的背层及发射层均有进行delta掺杂生长，这种delta掺杂结构能阻断晶体位错延伸、抑制晶体缺陷蔓延，提高太阳能电池外延结构的可靠性及光电转换效率。

砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法-201811270101.5
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申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明提供了一种砷化镓与钙钛矿异质结太阳能电池及其制作方法。该电池包括N型砷化镓半电池和位于N型砷化镓半电池上方的P型钙钛矿半电池，N型砷化镓半电池从下至上依次包括衬底、N型砷化镓层和砷化镓吸收层；P型钙钛矿半电池从下至上依次包括钙钛矿吸收层、空穴传输层和电极层。该电池的结构使得在制作过程中去除了砷化镓太阳能电池P型半导体层生长步骤，降低了电池生产过程的难度，提高产品良率。与此同时，P型钙钛矿太阳能半电池具有吸光系数强、载流子迁移距离长、电池电压高等优势，能进一步提高砷化镓太阳能电池光电转化效率。

四结柔性太阳能电池及其制备方法-201910679445.X
发明人：占荣;王伟明;李华;吴慧哲 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了一种四结柔性太阳能电池，从下至上依次包括：Ge子电池(110)；InGaAs子电池(120)；InAlGaAs子电池(130)；以及InAlGaP子电池(140)；其中，所述Ge子电池(110)为背光侧，所述InAlGaP子电池(140)为入光侧。本发明在现有技术的基础上，进一步提高多结太阳能电池的光电转化效率，减少芯片厚度和质量，同时提高现有柔性电池的可靠性。

一种PERC-铜锌锡硫叠层太阳能电池及其制备方法-202210462770.2
发明人：刘闯;腾三月;刘银生 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了一种PERC‑铜锌锡硫叠层太阳能电池及其制备方法；电池包括底层电池、顶层电池、设于底层电池与顶层电池间的连接层以及设于顶层电池上的过渡层、窗口层和顶层电极；顶层电池为铜锌锡硫；连接层为超薄氧化硅层与MoSxOy层形成的隧穿层。制备：S1、对P型硅片清洗，制绒；S2、正面扩散形成磷硅玻璃层，背面碱抛；S4、正面氧化形成超薄氧化硅层；S5、背面沉积第二钝化层和第一钝化层；S6、制备底层电极；S7、采用磁控溅射，在超薄氧化硅层沉积MoSxOy层，形成连接层；S8、磁控溅射，在连接层上沉积铜锌锡硫，形成顶层电池；S9、采用磁控溅射，依次在顶层电池上沉积过渡层和窗口层；S10、最后在窗口层上印刷电极浆料，升温烧结，得到该叠层太阳能电池。

一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法-202111243885.4
发明人：徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。

一种GaAs双面双结薄膜太阳能电池结构及制备方法-202111334929.4
发明人：王智勇;黄瑞;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了一种GaAs双面双结薄膜太阳能电池结构及制备方法，包括：p型基底层；p型基底层的一侧依次形成有隧道结层、n型非晶硅层、第一i型非晶硅钝化层、p+型非晶硅层、SiON钝化层、第一透明导电薄膜和p型电极；p型基底层的另一侧依次形成有第二i型非晶硅钝化层、n型非晶硅功能层、n+型非晶硅欧姆接触层、第二透明导电薄膜和n型电极。本发明的太阳能电池结构通过在单晶GaAs薄膜上制备非晶硅实现，其可以大大降低GaAs太阳能电池的制备成本，提高Si太阳能电池的转换效率。

一种多结太阳电池结构及其制备方法-202111249312.2
发明人：吴真龙;张坤铭;张勇 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本申请公开了一种多结太阳电池结构及其制备方法，该多结太阳电池结构包括衬底和设置于衬底上的多个子电池，该多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底方向依次排布的基区和发射区，发射区包括沿背离基区方向依次排布的第一发射区和第二发射区，基区和第一发射区均为InxGaAs层，第二发射区为GaInP层，即通过在发射区与基区连接的前一部分采用与基区相同材料的InxGaAs层，使得InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰偏离发射区和基区之间PN结处的空间电荷区，从而减小InGaAs/GaInP异质结的能带尖峰对发射区光生载流子向基区收集的影响，提高收集效率，改善太阳电池的转换效率。

一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池及其制备方法-202010408823.3
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明涉及一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池，包括背接触钙钛矿子电池、背接触式晶硅子电池以及位于中间的复合层，背接触钙钛矿子电池包括指叉式背接触钙钛矿太阳能电池或空间网状背接触太阳能电池，背接触式晶硅子电池包括指叉式背接触电池IBC、点接触式背接触电池PCC、背面指叉式单次沉积背接触电池RISE中的任意一种，背接触钙钛矿子电池的电极均埋在钙钛矿吸光材料之下，背接触式晶硅子电池是指其发射区电极和基区电极均位于电池背面的硅太阳能电池。本发明还公开该三结叠层太阳能电池的制备方法。本发明能更有效提取不同波长光的能量，结构紧凑简单，能有效减少寄生吸收，且不受电流匹配的限制，可以发挥两个子电池的最佳效果。

三终端叠层太阳能发电单元-201980084478.8
发明人：弗洛里安·伊勒特;菲利普·舒尔茨;艾蒂安·德哈伊 -专利权人：道达尔欧洲公司;法国电力公司;法国国家科研中心;综合理工大学;法兰西岛光伏研究所
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明涉及一种三终端叠层太阳能发电单元(1)，其包括：‑由钙钛矿型化合物制成的第一吸收层(7)；‑第二吸收层(11、11’)；‑设置于所述第一吸收层(7)的前侧的第一和第二叉指前接触(5a、5b)，所述第一前接触(5a)具有第一极性，所述第二前接触(5b)具有第二极性；‑设置于所述第二吸收层(11、11’)的背侧的具有所述第一或第二极性的背接触(17、17’)；‑设置在所述第一吸收层(7)和第二吸收层(11、11’)之间的界面层(9、90、9’、90’)，所述界面层包括根据所述第一极性掺杂的半导体第一子层(9a、90a、9a’、90a’)和根据所述第二极性掺杂的第二子层(9b、90b、9b’、90b’)，并且所述界面层构造为允许极性不同于所述背接触(17、17’)极性的关联载流子从所述第二吸收层(11、11’)转移到所述第一吸收层(7)，以被极性不同于所述背接触(17、17’)极性的前接触(5a、5b)所收集。

一种叠层太阳电池-202120858345.6
发明人：夏锐;陈艺绮;王尧;刘成法;邹杨;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本实用新型提供了一种叠层太阳电池，所述的太阳电池包括层叠设置的TOPCon电池和钙钛矿太阳电池；所述的TOPCon电池包括硅片层，所述硅片层的一侧表面层叠设置有扩散硅层和钝化层，所述硅片层的另一侧表面层叠设置有隧穿层和多晶硅层；所述多晶硅层远离隧穿层的表面与所述钙钛矿太阳电池远离电极的一侧贴合。本实用新型以TOPCon电池倒置作为底电池，并在TOPCon电池的背面生长钙钛矿太阳电池，具有结构简单、方便制备、成本低和光电光电转化效率高等特点。

叠层光伏器件及生产方法-202010091544.9
发明人：吴兆;徐琛;李子峰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明提供叠层光伏器件及生产方法，涉及太阳能光伏技术领域。叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于上层电池单元和下层电池单元之间的隧道结；下层电池单元为晶体硅电池；所述隧道结包括：上传输层、下传输层以及位于所述上传输层和所述下传输层之间的中间层，所述中间层为有序缺陷层；或，所述中间层为连续薄层；或，所述中间层包括与所述下传输层接触的第一层和与所述上传输层接触的第二层，所述第一层的掺杂浓度为所述下传输层的掺杂浓度的10‑10000倍，且所述第一层的掺杂浓度小于1021cm‑3；所述第二层的掺杂浓度为所述上传输层的掺杂浓度的10‑10000倍，且所述第二层的掺杂浓度小于1021cm‑3。本申请提高了隧道结整体的复合速率和导电率。

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摘要：描述了一种串联式太阳能电池结构，其具有以下特征：(a)具有由不同材料制成的至少两个不同吸收体(104,108)的用于光伏能量转换的单体结构，(b)吸收体(108)由晶体硅构成，(c)在硅吸收体(108)的面对相邻的吸收体(104)的一侧上的布置有载流子选择性触点，(d)载流子选择性触点由薄的界面氧化物107和施加到其上的主要由p掺杂(106)或者n掺杂(201)的硅构成的非晶、部分结晶或多晶层配置而成。由层107和106或201构成的载流子选择性触点保证了晶体硅吸收体108的优异表面钝化和在整个表面上从后者选择性地提取载流子类型。因此实现垂直电流流动，使得在每个子电池中不需要横向电导率。通过层106或201的高度掺杂可以形成与相邻层的隧道接触。层106或201的厚度和/或掺杂可被用来匹配各个子电池中的发电电流。层107、106或201的温度稳定性允许在400℃的温度应用随后的生产步骤。

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发明人：夏锐;陈艺绮;王尧;刘成法;邹杨;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明提供了一种叠层太阳电池及其制备方法，所述的太阳电池包括层叠设置的TOPCon电池和钙钛矿太阳电池；所述的TOPCon电池包括硅片层，所述硅片层的一侧表面层叠设置有扩散硅层和钝化层，所述硅片层的另一侧表面层叠设置有隧穿层和多晶硅层；所述多晶硅层远离隧穿层的表面与所述钙钛矿太阳电池远离电极的一侧贴合。本发明以TOPCon电池倒置作为底电池，并在TOPCon电池的背面生长钙钛矿太阳电池，具有结构简单、方便制备、成本低和光电光电转化效率高等特点。

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GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法-201910526744.X
发明人：陈诺夫;陈梦;陶泉丽;常甄文 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法，其包括以下步骤：1)选取p型单晶硅衬底；2)在p‑Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜，形成Ge/Si异质结底电池；3)在n‑Ge薄膜上，采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层；4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结；5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池；6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结；7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池；8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层；9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层；10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜；11)制备上下表面金属电极，并完成多结太阳电池的制备。

一种叠层电池结构及其制备工艺-202011019966.1
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了一种叠层电池结构，包括顶电池单元、底电池单元以及位于所述顶电池单元与所述底电池单元之间的中间层；所述中间层构造为p+/n+双层晶硅薄膜组成的隧穿结；所述顶电池单元包括在自远离至靠近所述中间层方向上依次层叠设置的电子传输层、钙钛矿光敏层、空穴传输层和在所述电子传输层上设有的正面电极；所述底电池单元为PERC太阳能电池；本发明也相应地公开上述叠层电池结构的制备工艺。本发明通过采用纳米硅隧穿结结构可以获得良好的钙钛矿电池性能。该结构叠层电池结构光电转换效率高。

用于改善低温下性能的太阳能电池设计-202010098706.1
发明人： P·T·肖;C·M·菲泽;X·刘 -专利权人：波音公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明的名称是用于改善在低温下性能的太阳能电池设计。一种包括至少一个太阳能电池的面板，该太阳能电池具有由砷化镓(GaAs)或砷化铟镓(InGaAs)组成的电池，该太阳能电池具有由p型掺杂的砷化铝镓(AlGaAs)或砷化铟铝镓(InAlGaAs)组成的背面场(BSF)，用于在低于‑50℃的温度下增强太阳能电池的运行。在一个实例中，背面场包括AlxGa1‑xAs或In0.01AlxGa1‑xAs，其中x小于约0.8，例如0.2。背面场可以是利用锌(Zn)或碳(C)p型掺杂的。

一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法-202010312258.0
发明人：方亮;肖祖峰;黄嘉敬;何键华;胡丹 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为HIT太阳能电池，即HIT子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/HIT三结叠层太阳能电池具有电转换效率高、稳定性好、成本低的优点。

一种GaInP/GaAs/CIGS三结叠层太阳能电池及其制备方法-202010312253.8
发明人：方亮;王兵;何键华;黄嘉敬;胡丹 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs/CIGS三结叠层太阳能电池及其制备方法，包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池，所述底电池和中间电池通过第一隧穿结连接，所述中间电池和顶电池通过第二隧穿结连接；所述底电池为CIGS太阳能电池，即CIGS子电池；所述中电池为GaAs太阳能电池，所述顶电池为GaInP太阳能电池，所述顶电池和中电池形成为GaInP/GaAs双结子电池。本发明的GaInP/GaAs/CIGS三结叠层太阳能电池具有较高的抗辐照能力，且光电转换效率高，制备成本低。

一种能源转换器件-201810388951.9
发明人：胡袁源;陈卓俊;彭伟 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本发明提供了一种能源转换器件，具有衬底，在衬底上形成电极3，在电极3上形成介电层，在介电层上分别形成电极1和电极2，在电极1和2以及介电层上形成半导体层，其中电极1与所述半导体层形成欧姆接触，电极2与所述半导体层形成肖特基接触，在衬底硅电极3与电极1之间施加交流信号，在电极1和电极2之间就会形成稳定的直流输出，该能源转换器件不仅制备工艺简单，而且可以收集具有任意幅值的电磁波信号用于转化成直流电，并且无衰减，能长期工作，工艺性能稳定。

一种硅基叠层双面太阳电池-201922383756.X
发明人：康海涛;胡燕;吴中亚;郭万武 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本实用新型涉及一种硅基叠层双面太阳电池，包括顶电池和底电池；所述顶电池为非晶硅异质结太阳电池；所述底电池为P型太阳电池；所述底电池背面有钝化膜；所述底电池背面制备有下电极；所述底电池与所述下电极的接触区域有通过选择性区域掺杂形成的P+重掺区；所述顶电池和所述底电池之间通过隧道结实现串联。本实用新型所公开的串联式叠层双面太阳结构设计基于产业化程度高的硅基太阳电池为底电池，具有原材料来源广，工艺步骤简单，制作成本低等特点。顶电池采用非晶硅薄膜电池，禁带宽度连续可调、光吸收系数高、与P型底电池匹配度窗口宽，且可大规模大面积沉积非晶硅薄膜，工艺简单成熟。

一种晶格失配的五结太阳能电池-201921181197.8
发明人：刘恒昌;刘建庆;文宏;高熙隆;刘雪珍;黄珊珊;黄辉廉 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/078
摘要：本实用新型公开了一种晶格失配的五结太阳能电池，在Ge衬底上依次设有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层、AlGaInAs晶格渐变缓冲层、第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池、第二GaInP子电池和GaInAs帽层，GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层与Ge衬底晶格匹配，第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池和第二GaInP子电池的外延层与Ge衬底晶格失配，且各外延层之间保持晶格匹配。本实用新型可以有效提升子电池载流子收集效率和电池填充因子，从而提升五结太阳能电池的光电转换效率；与大多数五结电池相比，该结构无需生长高质量生长条件苛刻的GaInNAs外延层，产品开发难度和规模化生长成本大幅降低。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种叠层太阳电池及其制备方法在审

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