[发明专利]电抗元件、电抗元件的制备方法在审
申请号: | 202110765712.2 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN115602668A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 黄宏达;朱若璞 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院第三代半导体研究院有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王风茹 |
地址: | 215300 江苏省苏州市昆山市玉*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种电抗元件、电抗元件的制备方法。所述电抗元件包括:衬底;位于所述衬底一侧的金属屏蔽层,所述金属屏蔽层接入零电位;位于所述金属屏蔽层远离所述衬底一侧的至少一层第一介质层;位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的至少一个电抗结构;其中,所述金属屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述电抗结构在所述衬底上的正投影。本发明实施例能够提高电抗元件的Q值,降低衬底损耗。 | ||
搜索关键词: | 电抗 元件 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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