[发明专利]一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111009759.2 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113816615B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 任洋;刘萍;刘荣欣;赵高扬 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 徐瑶 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1，以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2，将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500～550℃氢气气氛中进行终处理，气压0.1MPa，流量4～10mL/min，保温时间10～15min，得到ITO纳米晶薄膜。该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明公开的一种有上述方法制备的超高透明导电性ITO薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 透明 导电性 ito 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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