[发明专利]一种氮化镓异质外延层及其制备方法在审
| 申请号： | 202111255288.3 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990941A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 程万希;梁辉南;王荣华 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/02;C23C16/30;C23C16/34 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 方中 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氮化镓异质外延层，由下至上包括硅衬底、缓冲层和GaN层，其特征在于：还包括设置在所述硅衬底和所述缓冲层之间的厚度为500‑2000nm的Si |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓异质 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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