[发明专利]硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置有效
申请号: | 202111445050.7 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114290156B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 朱亮;李阳健;张雪纯;严浩;王宇泽 | 申请(专利权)人: | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | B24B7/22 | 分类号: | B24B7/22;B24B29/02;B24B27/00;B24B49/00;B24B49/02;B24B47/12;G06F30/20 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 李丽华 |
地址: | 312300 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请涉及半导体抛光技术领域,特别是涉及一种硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置,该方法包括:建立硅片抛光过程中电机的转矩、转速及抛光时间与硅片厚度的函数关系模型;基于采集的所述电机的转矩、转速、抛光时间及所述函数关系模型,确定所述硅片厚度。本发明通过建立硅片抛光过程中电机的转矩、转速及抛光时间与硅片厚度的函数关系模型,再基于采集的所述电机的转矩、转速、抛光时间及所述函数关系模型,确定所述硅片厚度,能够实现硅片抛光过程中的在线检测,且具有较高的准确性。 | ||
搜索关键词: | 硅片 抛光 过程 中的 方法 系统 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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