[发明专利]一种提高单晶产出的工艺在审
| 申请号： | 202210331427.4 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116926658A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 菅向红 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高单晶产出的工艺，包括：开始熔料的0‑0.5h内，使单晶炉的主加热器从0kw逐渐上升至65kw‑75kw的范围内，同时副加热器从0kw逐渐上升至8kw‑12kw的范围内；在熔料的0.5h‑6.5h的时间内，单晶炉的主加热器保持在65kw‑75kw的范围内，同时副加热器保持在8kw‑12kw的范围内；在熔料6.5h‑初始复投的时间内，单晶炉的主加热器的功率提升至95kw‑105kw的范围内；副加热器的功率提升至88kw‑92kw的范围内。本发明的有益效果是延缓了硅原料的熔融速率，坩埚上沿裸露在外，裸露烘烤时间及温度较常规工艺高，坩埚上沿内壁能够进行充分相变，达到改善成晶的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 产出 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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