[发明专利]动态存储器、其制作方法、读取方法及存储装置有效
| 申请号： | 202210351082.9 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN114863970B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 朱正勇;康卜文;王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/4094;G11C11/419;G11C11/408 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;王存霞 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种动态存储器、制作方法、读取方法及存储装置。该动态存储器在进行写入操作时通过字线向主栅极施加第一电平，并通过位线向待写入的存储单元的源极传输存储信号，源极将存储信号传递至漏极，漏极将存储信号传递至背栅极，背栅极与漏极的节点电容作为存储单元的存储电容，由此实现了数据的写入；在进行读取操作时，利用背栅极上的电压对于晶体管阈值电压的影响，通过字线对背栅极施加第二电平，然后通过检测晶体管输出电流的大小来实现数据的读出，因此，存储单元中仅需要设置一个晶体管即可实现数据的读写，无需另外设置晶体管或者电容器件，极大的简化了存储单元的结构，有利于提高动态存储器的集成度和存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 存储器 制作方法 读取 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
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