[发明专利]一种非层状二维材料及其制备方法与应用有效
申请号: | 202210662427.2 | 申请日: | 2022-06-13 |
公开(公告)号: | CN115094397B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 刘碧录;谭隽阳;李晟楠;王经纬;成会明 | 申请(专利权)人: | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 |
主分类号: | C23C16/08 | 分类号: | C23C16/08;C23C16/10;C23C16/14;C23C16/30 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张建珍 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种非层状二维材料及其制备方法与应用。所述制备方法为以包含金属化合物和金属单质的金属源为原料,通过化学气相沉积法制备所述非层状二维材料,在化学气相沉积过程中,所述单质和所述化合物通过归中反应调控金属源的挥发速度,其中,所述金属包括过渡金属。本发明中的制备方法具有可控性好的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 层状 二维 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华-伯克利深圳学院筹备办公室,未经清华-伯克利深圳学院筹备办公室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210662427.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种非层状二维材料及其制备方法与应用-202210662427.2
- 刘碧录;谭隽阳;李晟楠;王经纬;成会明 - 清华-伯克利深圳学院筹备办公室
- 2022-06-13 - 2023-09-01 - C23C16/08
- 本发明公开了一种非层状二维材料及其制备方法与应用。所述制备方法为以包含金属化合物和金属单质的金属源为原料,通过化学气相沉积法制备所述非层状二维材料,在化学气相沉积过程中,所述单质和所述化合物通过归中反应调控金属源的挥发速度,其中,所述金属包括过渡金属。本发明中的制备方法具有可控性好的特点。
- 一种渗剂发生器、化学气相沉积反应装置及气相沉积方法-202111331436.5
- 吴勇;段海涛;夏思瑶;夏春怀;孙清云;杨甫;陈辉 - 武汉材料保护研究所有限公司
- 2021-11-11 - 2023-05-16 - C23C16/08
- 本发明公开了一种渗剂发生器、化学气相沉积反应装置及气相沉积方法,本发明利用堆叠设置的底盖、多个托盘、顶盖和布气板形成渗剂发生器,托盘内可以盛装固态合金渗剂,将渗剂发生器安装在分段加热的气相沉积反应室内形成化学气相沉积反应装置,本发明将工件放置在气相沉积反应室内渗剂发生器上方,启动加热装置进行分段加热,然后通入工艺气体,工艺气体进入渗剂发生器内,并被加热,工艺气体与固态合金渗剂接触使其变成气态渗剂,并在气相沉积反应室内的工件表面制备改性铝化物涂层。本发明可以根据所需气态渗剂,调整托盘数量、原料放置位置和原料种类,在450~1000℃制备各类不同气态渗剂,能够满足不同种类合金改性铝涂层的需求。
- 形成沉积在元素金属膜上的含钼膜的方法-202180035956.3
- 刘国;雅各布·伍德拉夫;让-塞巴斯蒂安·莱恩 - 默克专利有限公司
- 2021-05-21 - 2023-01-31 - C23C16/08
- 提供了形成含钼膜的方法。该方法包括例如在小于或等于约400℃的第一温度下在基材表面上热沉积第一膜,以及例如在大于约400℃的第二温度下在该第一膜的至少一部分上热沉积该含钼膜(第二膜)。该第一膜可以包含元素金属,例如钨、钼、钌、或钴。该第二膜包含含钼前体和还原剂的反应产物。
- 一种钛合金表面耐蚀涂层的制备方法-202210180408.6
- 王虎跃;王青川;谭丽丽;杨柯 - 王虎跃
- 2022-02-25 - 2022-05-27 - C23C16/08
- 本发明公开了一种钛合金表面耐蚀涂层的制备方法,涉及金属涂层制备技术领域。本发明的一种钛合金表面耐蚀涂层的制备方法,通过在钛合金的表面利用化学气相沉积技术制备钽铜混合涂层,包括先对涂层表面在高温下进行渗氮处理,然后才沉积的钽铜涂层,使得前期渗入基体表层内的活性氮原子与钽原子相结合;洗气完毕后到反应开始前的腔体加热过程中一直在用分子泵和机械泵组合的复合泵抽着真空,极大的避免了反应前基体表面严重氧化;反应过程一直到反应结束冷却完毕前一直使用机械泵抽真空,极大的避免了反应时涂层沉积的过程中发生氧化。反应完成后的钽铜元素均匀混合,且钽元素并没有完全的包覆住铜元素,故铜元素能够释放出来起到杀菌效果。
- 用于制备难熔高熵合金靶材的CVD系统及其控制方法-202210093649.7
- 徐从康;贺涛;马赛;王江涌;陈箫箫 - 亚芯半导体材料(江苏)有限公司
- 2022-01-26 - 2022-04-29 - C23C16/08
- 本发明属于化学气相沉积技术领域,具体涉及一种用于制备难熔高熵合金靶材的CVD系统及其控制方法,包括:蒸发区,用于对氟化物液体原材料蒸发得到氟化物气化原材料;混气区,用于连接蒸发区以接收氟化物气化原材料,并与氢气混合得到混合气体;沉积区,用于连接混气区以接收混合气体,进行沉积制备难熔高熵合金靶材;尾气处理区,用于连接混气区和沉积区,将未反应完全的气体和副产物进行处理;本发明利用氟化物沸点低的特点,采用蒸发氟化物液体的方式除去其中大部分伴生杂质,同时利用氢还原温度低的特点,配合氟化物气化原材料具有更好的提纯效果,在热力学驱动力的作用下能以更高的沉积速率形成晶体得到难熔高熵合金靶材。
- 一种涡轮叶片的化学气相沉积Co-Al的方法-201711228745.3
- 张铁磊;崔启政;李宏然;王烜烽 - 无锡透平叶片有限公司
- 2017-11-29 - 2020-06-30 - C23C16/08
- 本发明公开了一种涡轮叶片的化学气相沉积Co‑Al的方法,所述方法包括遮蔽与装夹、主反应器高压加热、Co反应器加热渗Co、Al反应器加热渗Al以及扩散热处理和冷却。通过优化气相沉积的工艺流程,先气相渗Co再渗Al,采用独特的渗Co工序,调整反应温度、压力及时间的参数,最终得到外表面及内腔渗层均匀,渗层中无杂质的涡轮叶片,叶片渗层厚度为30‑60μm,Al含量25‑35wt%,Co含量为10‑15%。本发明的方法清洁高效,产物渗层化学成分符合生产要求,具有广阔的应用前景和市场价值。
- 一种镍化铁纳米棒的制备方法-201711070988.9
- 裴立宅;仇方吕 - 安徽工业大学
- 2017-11-03 - 2019-10-11 - C23C16/08
- 本发明公开了一种镍化铁纳米棒的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该方法具体是:首先将氯化铁与氯化镍混合均匀,然后将氯化铁与氯化镍混合粉末置于反应容器的高温区,氧化铝片置于反应容器的低温区,密封反应容器,将反应容器抽至真空,将高温区加热至1000~1100℃、低温区加热至100~200℃,保温0.5~2h,得到了表面含有褐色沉积物的氧化铝片;随后将该氧化铝片固定于反应容器中间,将氯化铁、氯化镍、硼氢化钠与乙醇混合后置于反应容器内并密封,于200~300℃下保温24~72h。本发明采用两步反应过程,制备过程简单、易于控制,所得镍化铁纳米棒在电子器件、磁性器件及微波器件等方面具有良好的应用前景。
- 含氟导电膜-201580032801.9
- T·E·布隆贝格;L·林德罗斯;H·霍特 - ASMIP控股有限公司
- 2015-03-31 - 2019-06-28 - C23C16/08
- 用于在基底上沉积含氟薄膜的原子层沉积(ALD)方法可以包括多个超循环。每个超循环可以包括金属氟化物子循环和还原子循环。金属氟化物子循环可以包括使基底与金属氟化物接触。还原子循环可以包括交替地和连续地使基底与还原剂和氮反应物接触。
- 钨膜的成膜方法-201610064286.9
- 成嶋健索;堀田隼史;丸山智久;饗场康 - 东京毅力科创株式会社
- 2016-01-29 - 2018-09-21 - C23C16/08
- 本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内,利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时,在供给氯化钨气体时,以ALD反应为主体的程度添加还原气体,在该ALD法中,以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。
- 一种难熔金属零件的3D打印方法及系统-201410607317.1
- 叶益聪;张虹;白书欣;朱利安 - 中国人民解放军国防科学技术大学
- 2014-11-03 - 2015-02-04 - C23C16/08
- 难熔金属零件的3D打印方法及系统。方法包括:S1:建立零件三维模型,生成多层切片文件并输入计算机中;S2:启动化学气相反应装置,将包含难熔金属元素的先驱体在载气的作用下,通过喷嘴送到高温平面基台,先驱体在高温平面基台的作用下发生分解,使难熔金属在高温平面基台上沉积;S3:计算机根据多层切片文件控制高温平面基台移动,实现难熔金属的离散堆积,形成难熔金属零件。系统包括化学气相反应装置、高温平面基台、载气输入装置、喷嘴和根据难熔金属零件的多层切片文件控制高温平面基台移动的计算机,化学气相反应装置与载气输入装置连通后与喷嘴连接,喷嘴朝向高温平面基台设置。该方法及系统能耗低、适合制造各种复杂形状的难熔金属零件。
- 一种无机质子导电膜的制备方法-201210477098.0
- 万青;郭立强;竺立强;周菊枚;张洪亮;吴国栋 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2012-11-20 - 2013-02-27 - C23C16/08
- 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法,包括:采用化学气相沉积技术,将反应源通入沉积体系中,通过调节工艺参数,在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜,及用所述导电膜制成的制品。本发明原材料来源丰富、价格便宜;制备工艺与现有设备相容,适于大面积连续生产;前景广阔、用途广泛,可在薄膜晶体管、聚合物电解质膜燃料电池、电化学传感器、水/蒸汽电解、生物系统等领域得到广泛应用。
- 形成装饰性涂层的方法、装饰性涂层及其应用-201080055424.8
- J·毛拉;T·阿拉萨瑞拉 - 贝尼科公司
- 2010-11-02 - 2012-09-05 - C23C16/08
- 装饰性涂层和在基底(2)上形成装饰性涂层的方法。该装饰性涂层包含削弱可见光透射通过涂层的吸收膜(1)。该方法包括如下步骤:将基底(2)引入反应空间,和在基底(2)上沉积吸收膜(1)。在基底上沉积吸收膜(1)包括如下步骤:在沉积表面上形成过渡金属氧化物的预沉积物,随后净化反应空间,和用包含第一金属的有机金属化学剂处理沉积表面,随后净化反应空间。形成预沉积物和处理沉积表面的步骤交替重复以增加吸收膜(1)的吸收。
- 成膜方法、成膜装置和存储介质-200980150183.2
- 成嶋健索 - 东京毅力科创株式会社
- 2009-12-11 - 2011-11-16 - C23C16/08
- 成膜方法包括:在腔室内配置被处理基板的工序;通过供给通路向腔室内供给含有含氯气体的处理气体的工序;在处理气体的供给通路中配置Ti含有部,在向腔室供给处理气体时,使处理气体中的含氯气体与Ti含有部接触而使含氯气体与Ti含有部的Ti反应的工序;边加热腔室中的被处理基板,边向被处理基板供给通过含氯气体与Ti的反应而生成的Ti前体气体,通过热反应在被处理基板的表面沉积Ti的工序。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的