[发明专利]一种抗辐照PROM低功耗读出电路及方法在审
| 申请号： | 202210819166.0 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115083495A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘祥远;蔡磊;杨国庆;陈强;傅祎晖;谈斌 | 申请（专利权）人： | 湖南融创微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人： | 丛诗洋 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于芯片配置技术领域，提供一种抗辐照PROM低功耗读出电路及方法，其中，所述读出电路包括：存储阵列、参考电压电路、灵敏放大器、三态驱动器、多个锁存器、多数表决器、翻转检测器以及刷新控制器；参考电压电路的第一端、存储阵列的第一端分别与灵敏放大器的第一端连接，参考电压电路的第二端、存储阵列的第二端连接后与刷新控制器的第一端连接；通过翻转检测和刷新电路纠正单粒子翻转，同时采用PROM值直接刷新锁存器不会受到单粒子累积效应影响；通过三态驱动器消除PROM前级电路产生的单粒子瞬态影响，通过多数表决器消除三模锁存器翻转时产生的输出噪声。本发明消除PROM累积及瞬态噪音，适应范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 prom 功耗 读出 电路 方法 | ||
【主权项】：
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