[发明专利]窄线宽半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202211076812.5 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115411612B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 魏思航;周志强;刘永康 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 焦禹 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄线宽半导体激光器及其制备方法，涉及半导体光芯片技术领域，主要目的是降低窄线宽激光器的制备难度和成本，并提高其结构稳定性。本发明的主要技术方案为：该窄线宽半导体激光器包括DFB增益区、深刻蚀光栅区和无源波导区；DFB增益区的端面为第一解理面，第一解理面上设置有高透射介质膜；深刻蚀光栅区包括衬底和在衬底上由下至上依次生长的N型包层、光栅波导层和P型包层；深刻蚀光栅区包括多个光栅，多个光栅沿激光器腔体的长度方向间隔排布；无源波导区包括衬底和在衬底上由下至上依次生长的N型包层、无源波导层和P型包层；无源波导区的端面为第二解理面，第二解理面上设置有高反射介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 窄线宽 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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