[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211386814.4 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115623777A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 曹新满 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;浦彩华 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括多个分立设置的有源区；暴露出部分所述有源区的多个开口；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述开口的部分侧壁并覆盖位于所述开口之间的所述衬底的表面；接触插塞，所述接触插塞位于被所述开口暴露出来的所述有源区上；位于接触插塞上的位线结构，所述位线结构沿平行于所述衬底的第一方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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