[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法在审
申请号: | 202211395917.7 | 申请日: | 2022-11-08 |
公开(公告)号: | CN116207070A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 李钟振;刘承勇;郑恩志 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 闵月;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。该半导体装置包括:下布线结构;上层间绝缘层,设置在下布线结构上且包括上布线沟槽,上布线沟槽暴露下布线结构的部分;以及上布线结构,包括上衬和在上布线沟槽中在上衬上的上填充层,其中,上衬包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部和沿着上布线沟槽的底表面延伸的底部,上衬的侧壁部包括钴(Co)和钌(Ru),并且上衬的底部由钴(Co)形成。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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