[发明专利]一种垂直环栅晶体管及其制造方法在审
申请号: | 202211626893.1 | 申请日: | 2022-12-16 |
公开(公告)号: | CN116110969A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 张亚东;张兆浩;霍嘉丽;骆堃;殷华湘;吴振华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 梁佳美 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直环栅晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于减小晶体管的器件尺寸,利于提高半导体器件的集成度。所述垂直环栅晶体管包括:衬底、隔离介质层、堆叠结构和栅堆叠结构。上述隔离介质层形成在衬底上。堆叠结构形成在隔离介质层上。沿衬底的厚度方向,堆叠结构包括依次层叠设置的第一电极层、沟道层和第二电极层。沟道层的材料为二维材料。栅堆叠结构形成在隔离介质层上。栅堆叠结构环绕在堆叠结构的外周。所述垂直环栅晶体管的制造方法用于制造所述垂直环栅晶体管。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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