[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在审
| 申请号： | 202211726365.3 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115863509A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张骏;岳金顺;张毅;陈景文;王永忠 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、第一电子阻挡层、电子蓄积层、量子阱有源层、第二电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，电子蓄积层至少包括一层N型掺杂的氮化铝镓材料，电子蓄积层的掺杂浓度高于量子阱有源层中势垒的掺杂浓度；本发明通过在第一电子阻挡层与量子阱有源层之间设置一层特殊材料的电子蓄积层，提高了第一电子阻挡层的等效势垒高度，进而对深紫外发光二极管的电子溢流效应起到很好的限制，同时能够提高注入到量子阱有源层中的电子浓度，最终提高深紫外发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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