[发明专利]一种三维集成结构射频电路及其制备方法在审
申请号: | 202310004786.3 | 申请日: | 2023-01-03 |
公开(公告)号: | CN116314087A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 张理想;许春良;柳溪溪;杨卅男;赵永志 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/538;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 刘少卿 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种三维集成结构射频电路及其制备方法。该射频电路包括:自上至下依次层叠的多个射频芯片。各射频芯片包括基板层,设于基板层上表面的电路层,设于基板层下表面的再布线层。基板层内部设有贯穿基板层的垂直金属通孔,垂直金属通孔连接电路层和再布线层。第二层至最底层射频芯片的电路层上设有互连凸点。两层射频芯片之间的再布线层包括第一端和第二端,其中,第一端连接垂直金属通孔的下端,第二端连接下层射频芯片的电路层上的互连凸点。本发明能够通过将各硅基射频芯片和化合物射频芯片层叠,通过设于层间的再布线层和互连凸点实现层间连接,实现硅基射频芯片和化合物射频芯片的三维集成。减少了射频电路集成结构尺寸。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 集成 结构 射频 电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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