[发明专利]在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置

摘要

本发明实施例公开了一种在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置，涉及原子层沉积技术领域，能够降低合成生长所需的温度，可以在大比表面积基底上，沉积生长高质量的二硫化铌薄膜，具有工艺简单、稳定，质量均匀等优点，适合用来规模化制备生产二硫化铌薄膜。本发明包括：源路Ⅰ、源路Ⅱ、反应腔体装置、真空泵(7)，源路Ⅰ用于向反应腔体装置输送Nb源；源路Ⅱ用于向反应腔体装置输送S源；反应腔体装置的气动阀V3、气动阀V4组成，与源路Ⅰ和源路Ⅱ中的气动阀V11、气动阀V22联动控制，铌源和硫源送入反应腔体后，气动阀V3、气动阀V4及时关闭，使铌源和硫源能够在腔体内充分进行反应。