[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202310116841.8 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN116266992A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 黄彦杰;林柏廷;廖崧甫;陈海清;杨世海;林佑明;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各种实施例是针对一种集成芯片(IC)及其形成方法，其包括设置于基板中的第一电极结构。第一铁电结构设置于第一电极结构的第一侧。通道结构设置于第一铁电结构的第一侧。通道结构包括多个个别的通道结构以及多个绝缘结构。多个个别的通道结构以及多个绝缘结构交替堆叠。一对源极/漏极(S/D)结构设置于第一铁电结构的第一侧。上述一对S/D结构垂直延伸穿过通道结构，且第一电极结构横向设置于上述一对S/D结构的S/D结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310116841.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其形成方法
- 下一篇：沉积装置、沉积方法、以及沉积系统
