[发明专利]一种基于二维铁电材料离子迁移多态存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310165386.0 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116347893A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘富才;宋苗苗;刘庆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/51;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种基于二维铁电材料离子迁移多态存储器件及其制备方法，该存储器件包括在以下三种器件结构下实现多态存储效果:1.MFMIS(金属‑铁电材料‑金属绝缘介电层‑半导体)结构。2.MFIS(金属‑铁电材料‑绝缘介电层‑半导体)。3.MFS(金属‑铁电材料‑绝缘介电层‑半导体)。其中包括支撑衬底上的导电沟道，导电沟道上设置有源极电极、漏极电极和绝缘介电层，源极电极和漏极电极分别设置于半导体沟道两端。沟道上置有石墨烯浮栅‑绝缘介电层‑CuInP |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 离子 迁移 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310165386.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
