[发明专利]自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法在审
申请号: | 202310193300.5 | 申请日: | 2023-02-28 |
公开(公告)号: | CN116367698A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 王开友;兰修凯;阿贝贝;雷坤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H10N50/80 | 分类号: | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种自旋轨道矩磁随机存储器,包括多个存储单元,每个存储单元包括:轨道霍尔层,适用于在面内电流的作用下产生轨道极化流;磁隧道结,从下而上依次包括:磁自由层,适用于在扩散至磁自由层的面内电流和轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流;磁自由层具有垂直各向异性;隧穿绝缘层;磁钉扎层;反铁磁层或人工反铁磁层;其中,沿第一自旋方向的自旋极化流和与第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应,诱导磁自由层的磁化方向发生确定性翻转,以向存储单元存储信息。 | ||
搜索关键词: | 自旋 轨道 随机 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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