[发明专利]改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法在审

申请号：	202310252923.5	申请日：	2023-03-16
公开（公告）号：	CN116207176A	公开（公告）日：	2023-06-02
发明（设计）人：	刘博文;顾溢;李淘;邵秀梅;李雪;龚海梅	申请（专利权）人：	中国科学院上海技术物理研究所
主分类号：	H01L31/0735	分类号：	H01L31/0735;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18
代理公司：	上海沪慧律师事务所 31311	代理人：	郭英
地址：	200083 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。
搜索关键词：	改善延伸波长 ingaas 晶圆翘曲缓冲结构及其制备方法
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摘要：本发明属于激光光伏电池技术领域，具体为一种超薄激光光伏电池及其制备方法。本发明超薄激光光伏电池采用Au/InP/In1‑xGaxAsyP1‑y/InP非对称FP腔结构；具体包括依次叠合的金属反射层、背场层、基区层、发射层、前场层和电极接触层；基区层和发射层组合成为超吸收层结构；改变超吸收层的材料组分参数以实现对不同波长激光的能量转化，改变超吸收层的厚度以在工作波长下实现超吸收；使具有亚波长厚度的器件在不损失光吸收的前提下得到优于传统器件的电学性能，在激光光伏电池领域具有良好的应用前景。

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申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法，所述缓冲层结构自下而上依次包含晶格匹配缓冲层、组分线性递增缓冲层、组分线性递减缓冲层、固定组分缓冲层。所述晶格匹配缓冲层材料为In0.52Al0.48As或InP，所述组分线性递增缓冲层的材料为InxAl1‑xAs或InAsyP1‑y，其中自所述组分线性递增缓冲层下端至上端，x由0.52线性递增至a，0.85≤a≤1，或y由0线性递增至b，0.7≤b≤1，所述组分线性递减缓冲层的下端的所述组分线性递增缓冲层的上端晶格匹配，而后组分线性递减至与延伸波长InGaAs晶格匹配，所述固定组分缓冲层与延伸波长InGaAs层晶格匹配。本发明利用缓冲层内部应力相互作用来改善外延片晶圆翘曲，从而提高焦平面探测器制备规模和成品率。

一种InGaN/GaN超晶格结构太阳能电池外延结构及其制备方法-202210578014.6
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申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种InGaN/GaN超晶格结构太阳能电池外延结构，其自下而上依次包括衬底、成核层、本征层、第一掺杂层、超晶格层、缓冲层、势垒层、第二掺杂层和第三掺杂层；本征层为包括两个台面的阶梯状结构，两个台面分别为第一台面和第二台面，且第一掺杂层、超晶格层、缓冲层、势垒层、第二掺杂层和第三掺杂层均设置在第一台面正上方。本发明光电转换效率优于传统的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，提高了光生空穴载流子的输运效率，提高了短路电流，提升了电池的整体性能。本发明还提出了上述太阳能电池外延结构的制备方法，其采用易于产业化的MOCVD外延技术外延材料和利用成熟LED工艺制造器件，便于加工制造和大规模推广。

砷化镓太阳电池及其制造方法-202010093535.3
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申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种砷化镓太阳电池，包含底电池、至少一个子电池以及顶电池，其中：顶电池的窗口层全部或部分采用AlGaInP/AlInP超晶格。其优点是：AlGaInP/AlInP超晶格中AlGaInP可以通过提高Al组分来减小晶格常数和提高带隙，减少AlGaInP的吸光。而AlInP保持与GaInP子电池晶格匹配，利用AlGaInP/AlInP超晶格的应变生长可以提高窗口层带隙，减少吸光。

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发明人：吴真龙;韩效亚;李俊承;林志伟;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本申请提供一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法，所述砷化物多结太阳能电池，包括至少三结子电池，其中至少一结子电池的基区为砷化物基区，所述砷化物基区采用掺杂渐变方式形成，并且在掺杂浓度低的区域，交替生长掺杂层和非掺杂层，降低了基区靠近PN结区域的平均载流子浓度，耗尽区宽度与平均载流子浓度反比例关系，因此此技术方案可以增加耗尽区厚度，改善载流子的收集效果，从而可以提高电池性能，同时这种方式的基区，因为采用掺杂层和非掺杂层交替生长的方式增加了少数载流子的迁移率，进而增加了少数载流子的扩散长度，最终可以提高载流子的寿命，提高电池的抗辐照性能。

一种GaSbx-202020500387.8
发明人：万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本实用新型公开了一种GaSbxAs(1‑x)空间电池外延片，包括Ge衬底，所述Ge衬底上依此设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、GaAs隧穿结层、GaSbAs缓冲层、中电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、顶电池和欧姆接触层，所述GaSbAs缓冲层由五层组分递变GaSbxAs(1‑x)缓冲层结构组成，本实用新型通过设置组分递变的GaSbxAs(1‑x)缓冲层，新结构GaSbxAs(1‑x)缓冲层层数和厚度的减少，将使得电池外延层晶格位错密度降低，提升电池晶格质量，从而减少载流子的非辐射复合，提升电池的光电转化效率。

一种基于前面场结构的空间电池外延片-202020535360.2
发明人：万智;徐培强;林晓珊;张银桥;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本实用新型涉及一种基于前面场结构的空间电池外延片。常规晶格匹配的三结电池缺点是光生载流子的收集效率较低，光电转化效率只能达到30％左右。本实用新型涉及一种基于前面场结构的空间电池外延片，其中：中电池的内部设置有第一背面场层，所述第一背面场层的上方沉积有第一基区层，第一基区层的上方沉积有第一发射区层，所述第一发射区层的上方沉积有第一前面场层，所述第一前面场层的上方沉积有第一窗口层。本实用新型优点在于：通过在前面场层和发射区层之间形成的导带阶和浓度梯度，形成内建电场，从而增加对光生载流子少子的反射，以及对光生载流子多子的吸引，从而提高电池发射区层对光生载流子的收集效率，提升电池的整体光电转化效率。

包含异质结的光电子器件-201610836332.2
发明人：聂辉;布兰登·M·卡耶斯;伊西克·C·奇吉尔亚里 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本申请涉及包含异质结的光电子器件。本发明的实施方式大体涉及光电子半导体器件，例如包括太阳能电池的光伏器件。一方面，光电子半导体器件包含由砷化镓(GaAs)制成并且仅具有一种掺杂型的吸收层。发射极层比吸收层更靠近器件的背面，发射极层由与吸收层不同的材料制成，并且具有比吸收层高的带隙。异质结在发射极层和吸收层之间形成，且p‑n结在发射极层和吸收层之间形成并且至少部分在与异质结偏离的位置处的不同材料内。p‑n结响应于器件在器件的正面处暴露于光而在器件中引起电压产生。

InGaAs/Ge双结太阳能电池-201621478203.2
发明人：王颖 -专利权人：陕西学前师范学院
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本实用新型涉及一种InGaAs/Ge双结太阳能电池。所述电池包括Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、InGaAs/Ge双结太阳能电池层、接触层、反射膜；所述Ge外延层中Ge为LRC晶体；其中，所述InGaAs/Ge双结太阳能电池层包括依次层叠于所述Ge外延层上的Ge基区、Ge发射区、Al0.2Ga0.8As第一窗口层、GaAs隧道结、In0.49Ga0.51P电池背场、In0.01Ga0.99As基区、In0.01Ga0.99As发射区、Al0.53Ga0.47As第二窗口层。采用LRC工艺制备的Ge外延层，可以制备出很薄的Ge外延层，且Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，质量较高、热预算低。

一种正向生长的匹配四结太阳能电池-201620853772.4
发明人：孟宪松;方亮;高伟;张宝;高慧;裴东 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本实用新型涉及一种正向生长的匹配四结太阳能电池，顶电池为AlGaInP顶电池，上子电池为AlGaAs子电池，下子电池为GaInAsNSb子电池，缓冲层为GaInAs缓冲层，成核层为GaInP成核层，底电池为Ge底电池，顶电池、上子电池、下子电池和底电池晶格匹配。本实用新型中，顶电池、上子电池、下子电池和底电池的电流失配小，减小了光电转换过程中的热致损失，提高了电池效率；最下方的衬底为Ge衬底，降低了成本；制造时不需要其他技术路线的剥离、金属键合或半导体键合等复杂工艺，成品率可以达到50％以上，电池性能的一致性和均匀性好，生产效率高，易于实现规模生产。

一种含有复合多光子腔的多结太阳电池-201610962842.4
发明人：张玮;朱凯;李欣益;陆宏波;陈杰;张华辉;张梦炎;杨丞;张建琴;郑奕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种含有复合多光子腔的多结太阳电池，该太阳电池包含从上至下依次设置的n个宽带隙垂直光子腔，其中n为自然数，且n≥1，m个窄带隙垂直光子腔，其中m为自然数，且m≥1，以及设置在相邻垂直光子腔之间的隧穿结。宽带隙垂直光子腔包含从上至下依次设置的第n前置反射镜，第n子电池，第n后置反射镜。窄带隙垂直光子腔包含从上至下依次设置的第m前置反射镜，第m子电池，第m后置反射镜。本发明的太阳电池能够提高宽带隙材料近带边自发辐射光的利用效率，提高了电池的开路电压，进而提高太阳电池的光电转换效率。

一种双面生长的InP五结太阳电池-201510956796.2
发明人：张恒;孙强;刘如彬;张启明;唐悦 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池，AlzGa1‑zAs子电池，GamIn1‑mP组分渐变缓冲层，InP子电池窗口层和InP子电池发射区层，InP衬底下表面设置有InP子电池背场层，GaInAsP子电池和GaInAs子电池。(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池和AlzGa1‑zAs子电池通过第四隧道结连接，GamIn1‑mP组分渐变缓冲层和InP子电池窗口层通过第三隧道结连接，InP子电池背场层和GaInAsP子电池通过第二隧道结连接，GaInAsP子电池和GaInAs子电池通过第一隧道结连接。

一种选择性发射极镓铟砷锑热光伏电池及其制备方法-201610308564.0
发明人：汤亮亮;许昌;陈星莺 -专利权人：河海大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种选择性发射极镓铟砷锑热光伏电池及其制备方法，包括液相外延制备GaInAsSb层、两步锌扩散法制备选择性发射极、蒸发法制备电极等步骤；在两步锌扩散法制备发射极的过程中，第一次锌扩散过程采用Zn‑Ga‑In合金为扩散源进行浅扩散，生成单扩散前沿锌曲线，其扩散区域95%以上锌浓度低于10¹⁹cm^‑3，第二次锌扩散过程采用Zn‑As‑Sb合金为扩散源对电极区域进行深扩散，生成双扩散前沿锌曲线，其扩散区域40%以上锌浓度大于10¹⁹cm^‑3；采用本发明制备出的GaInAsSb电池在500~2200nm波段范围内的平均内量子效率达90%以上，并且由于电池表层具有高度稳定的锌扩散曲线，可省略传统选择性发射极制备过程中难以控制的百纳米级的精确腐蚀过程，使得不同批次生产出的GaInAsSb电池具有高度稳定的电学输出性能。

一种全背场扩散N型硅基电池-201620262585.9
发明人：瞿辉;徐春;曹玉甲;靳玉鹏 -专利权人：江苏顺风光电科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本实用新型涉及一种全背场扩散N型硅基电池，包括N型硅基本体，电池背面为发射极，背面发射极上用氧化硅、氧化铝等形成钝化膜，钝化膜外侧沉积氮化硅，其上为铝背场和电极；正面采用氧化硅和氮化硅组合形成钝化减反射层，外部为穿透型浆料形成的电极。本实用新型pn结靠近背面，金属电极和钝化层有较高的光电转化效率；开路电压和短路电流均较常规N型电池高出较多，电池转换效率高，完全符合市场大功率组件的要求；同时制备工艺简单易行，和原有的p型晶硅电池流程兼容，并不用造成设备浪费，适合大规模工业生产。

一种量子点五结太阳能电池-201520341685.6
发明人：高鹏;薛超;张无迪;刘如彬;肖志斌;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本实用新型涉及太阳能电池领域，主要公开了一种量子点五结太阳能电池。该量子点五结太阳能电池结构依次为GaAs帽层、第一结Al_xGa_1-xIn_0.5P电池、第一隧穿结、第二结Al_xGa_1-xAs电池、第二隧穿结、第三结GaAs电池、第三隧穿结、键合接触层、第四结In_xGa_1-xAs_yP_1-y电池、第四隧穿结、第五结In_xGa_1-xAs电池、InP缓冲层和InP衬底。其中，量子点浸润层为具有规整图形的量子点浸润层。本实用新型的有益效果是：该电池可以对更大波长范围的太阳辐射能进行吸收，因此具有高的光利用率，从而提高了光电转换效率；采用具有规整图形的量子点浸润层利于形成能级一致的量子点中间带，从而能够产生更多数量的电子-空穴对，利于短路电流密度的提高，进而提高该量子点五结太阳能电池的光电转换效率。

带势垒层结构的砷化铟热光伏电池-201520372603.4
发明人：胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本专利公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本专利的优点在于：利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流，从而最终提高热光伏电池的量子效率。

一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池-201510295810.9
发明人：胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本发明的优点在于：利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流，从而最终提高热光伏电池的量子效率。

一种光电器件的插入层结构-201510014462.3
发明人：李淼 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：基于对现有InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层结构之间的插入层(LB)的研究，本发明提供了一种新的光电器件的插入层结构设计方案。本发明中的插入层采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分＜10％,Al组分＜15％；在插入层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立。本发明既解决了Mg向量子阱的扩散而导致效率降低的问题，同时解决了InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层结构之间由于晶格失配导致的应力和极化电场甚至负电荷区存在的问题；且尽可能阻挡电子向P层扩散并保证空穴能够高效注入量子阱。

四结太阳能电池及其制备方法-201410285057.0
发明人：宋明辉;林桂江;陈文浚;毕京锋;刘冠洲;杨美佳;李明阳 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明提供一种高效四结太阳能电池及其制备方法，其制备方法包括步骤：外延生长第一外延和第二外延结构：使用正装外延技术，在一第一衬底上形成第一外延结构，同时在一第二衬底上形成第二外延结构，其中第一外延结构为在所述第一衬底上依次形成第一子电池、第二子电池和覆盖层；第二外延结构为在所述第二衬底上依次形成第三子电池和第四子电池；形成沟槽并形成键合金属层：在第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面形成沟槽，在所述沟槽内沉积一键合金属层；接合所述第一外延结构和第二外延结构：将第一外延结构的覆盖层表面与第二外延结构的衬底背面贴合，同时保证键合金属层之间彼此对准，经过高温高压处理，实现键合金属层之间和半导体与半导体之间的双重键合，从而形成高效四结太阳能电池。

一种超宽带隙隧穿结-201410212021.X
发明人：李欣益;陆宏波;张玮;周大勇;孙利杰;陈开建;沈静曼;石梦奇 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种超宽带隙隧穿结，用于连接多结太阳电池中的宽带隙子电池，其中，该超宽带隙隧穿结包含依次设置的平行的n型Al_xGaInP层和p型Al_yGaAs层，其中0.01≤x≤0.5，0.1≤y≤0.9。n型掺杂剂为Te，掺杂浓度为5×10¹⁸~5×10¹⁹cm^-3；p型掺杂剂为C，掺杂浓度为5×10¹⁸~5×10²⁰cm^-3。n型Al_xGaInP层和p型Al_yGaAs层的厚度范围均为10~100nm。本发明提供的超宽带隙隧穿结，选用超宽带隙的材料组合成超宽带隙隧穿结，使宽带隙太阳电池中顶电池与下面的子电池形成良好的电学接触，解决了宽带隙电池中难以制备高峰值电流密度隧穿结的难题。

一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池-201310614565.4
发明人：陆宏波;张玮;周大勇;李欣益;孙利杰;陈开建 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开了一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，该太阳电池发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为1011~1013cm-2。δ掺杂是在太阳电池的AlInP或AlGaInP窗口层和GaInP发射区的界面附近对窗口层进行δ掺杂。本发明提供的含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，在窗口层与发射区界面处对窗口层进行δ掺杂来增强载流子在太阳电池中的输运。

一种SiC衬底单节太阳能电池外延结构及其制备方法-201210196649.6
发明人：夏伟;吴德华;于军;苏来发;张新 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明提供了一种SiC衬底单节太阳能电池外延结构及其制备方法。以SiC衬底为衬底采用MOCVD法制得，依次包括SiC衬底、SiGe缓冲层、Ge缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs n-基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层；所述SiC衬底厚度为400~450μm。本发明使用SiC作为衬底生长半导体GaAs薄膜材料，可代替常规的单晶硅、多晶硅太阳能电池，同时利用本发明的SiC衬底单节太阳能电池外延结构制备的SiC衬底单节太阳能电池是转化效率高的单层薄膜太阳能电池。

半导体感光元件-201310050035.1
发明人：笹畑圭史;石村荣太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明得到一种温度依赖性小、不需要在原子层等级的膜厚控制等并且灵敏度高的半导体感光元件。在n型InP衬底（1）上设置有至少具有光吸收层（4）的半导体层叠构造（2）。光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成。由于InGaAsBi的带隙小，所以得到高的感光灵敏度。此外，由于InGaAsBi的带隙相对于温度变化为固定，所以感光灵敏度的温度依赖性变小。此外，由于光吸收层（4）由与n型InP衬底（1）晶格匹配的InGaAsBi层构成，所以不需要在原子层等级的膜厚控制等。

异质结太阳能电池及其制备方法-201210203828.8
发明人：郑新和;吴渊渊;张东炎;李雪飞;陆书龙;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。

异质结太阳能电池及其制备方法-201210203861.0
发明人：吴渊渊;郑新和;张东炎;李雪飞;陆书龙;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层，第二薄膜与有源区之间还包括一与第二薄膜相异质的第二渐变缓冲层。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质的第一渐变缓冲层；2）在第一渐变缓冲层裸露表面外延生长有源区；3）在有源区裸露表面生长第二渐变缓冲层；4）在第二渐变缓冲层裸露表面生长与第二渐变缓冲层相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。

太阳能电池-201210063143.8
发明人：杨伯川;詹逸民 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括一第一导电层、一光电转换层以及一第二导电层。光电转换层位于第一导电层上方。光电转换层包含一硒化铜铟镓层以及一硅基材。硒化铜铟镓层接触硅基材，使硒化铜铟镓层与硅基材间形成一异质PN接面。第二导电层位于光电转换层上方。

三结太阳能电池及其制备方法-201210064787.9
发明人：王良均;丁杰;刘建庆;林桂江;毕京锋;蔡文必 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明公开一种三结太阳能电池及其制备方法，其特征在于三结电池中的顶电池和中电池的背电场均采用AlxGa1-xAs/AlAs异质结结构。本发明可提高顶电池外延生长材料的禁带宽度（Eg），提高三结电池的开路电压（Voc），同时可增加顶电池和中电子基区光生载流子的收集，提高三结电池的短路电流（Isc），从而进一步提高三结电池的光电转化效率。

具有接触阻挡层的稀释的III-V族氮化物中间带太阳能电池-201080040445.2
发明人： W·瓦鲁奇威兹;K·M·禹 -专利权人：罗斯特雷特能源实验室公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明提供一种中间带太阳能电池(IBSC)，其包括基于稀释的III-V族氮化物材料的p-n结和一对位于p-n结相对表面上的接触阻挡层，其用于通过阻挡中间带中电荷输运电绝缘p-n结的中间带，但不影响p-n结的电子和空穴收集效率，因而增加IBSC的开路电压(VOC)，并利用中间带吸收能量低于IBSC的吸收层带隙的光子增加光电流。因此，IBSC的整体功率转换效率比传统单结太阳能电池高得多。IBSC的p-n结吸收层具有成分分级的氮浓度，从而为更有效的电荷收集提供电场。

包含异质结的光电子器件-201110329046.4
发明人：聂辉;布兰登·M·卡耶斯;伊西克·C·奇吉尔亚里 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/0735
摘要：本发明的实施方式大体涉及光电子半导体器件，例如包括太阳能电池的光伏器件。一方面，光电子半导体器件包含由砷化镓(GaAs)制成并且仅具有一种掺杂型的吸收层。发射极层比吸收层更靠近器件的背面，发射极层由与吸收层不同的材料制成，并且具有比吸收层高的带隙。异质结在发射极层和吸收层之间形成，且p-n结在发射极层和吸收层之间形成并且至少部分在与异质结偏离的位置处的不同材料内。p-n结响应于器件在器件的正面处暴露于光而在器件中引起电压产生。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]改善延伸波长InGaAs晶圆翘曲的缓冲层结构及其制备方法在审

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