[发明专利]一种高电阻率钕铁硼磁体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310360472.7 申请日: 2023-04-06
公开(公告)号: CN116364406A 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 刘友好;张梦成;查善顺;刘家琴;周志国;陈静武;衣晓飞 申请(专利权)人: 安徽大地熊新材料股份有限公司;合肥工业大学智能制造技术研究院
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;B22F1/17;B22F1/145;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/58
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 张梦媚
地址: 231500 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高电阻率钕铁硼磁体及其制备方法,本发明中的制备方法主要步骤有:分别制备近Nd2Fe14B1正分比的钕铁硼合金磁粉X1和高稀土含量的钕铁硼合金磁粉Y;在所述钕铁硼合金磁粉X1的表面沉积金属膜层,获得磁粉X2;对所述磁粉X2进行氧化处理,获得磁粉X3;将磁粉X3和钕铁硼合金磁粉Y混合均匀,获得混合磁粉;采用所述混合磁粉制成高电阻率钕铁硼磁体。通过本发明中的制备方法,能够在保证磁性能和机械性能的前提下,提高磁体的电阻率;从而降低了磁体在工作时产生的涡流效应,降低了工作时的温升,提高电机的工作效率。
搜索关键词: 一种 电阻率 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法
【主权项】:
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