[发明专利]一种高电阻率钕铁硼磁体及其制备方法在审
申请号: | 202310360472.7 | 申请日: | 2023-04-06 |
公开(公告)号: | CN116364406A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 刘友好;张梦成;查善顺;刘家琴;周志国;陈静武;衣晓飞 | 申请(专利权)人: | 安徽大地熊新材料股份有限公司;合肥工业大学智能制造技术研究院 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;B22F1/17;B22F1/145;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/58 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 张梦媚 |
地址: | 231500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开了一种高电阻率钕铁硼磁体及其制备方法,本发明中的制备方法主要步骤有:分别制备近Nd |
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搜索关键词: | 一种 电阻率 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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