[发明专利]一种等离激元肖特基探测器及其制备方法和应用在审
申请号: | 202310377541.5 | 申请日: | 2023-04-11 |
公开(公告)号: | CN116613238A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 胡欢;陈程;吴少雄 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18;G01J3/28 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 曹鑫蕊 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及光谱检测技术领域,尤其涉及一种等离激元肖特基探测器及其制备方法和应用。本发明提供了一种等离激元肖特基探测器,包括表面含有硅柱阵列的硅片和沉积在所述表面含有硅柱阵列的硅片的表面的金属薄膜;所述表面含有硅柱阵列的硅片包括不同的区域,不同区域中金属薄膜的厚度、硅柱阵列的直径、高度和相邻两硅柱圆心之间的距离不同;相同区域中金属薄膜的厚度、硅柱阵列的直径、高度和相邻两硅柱圆心之间的距离相同;所述等离激元肖特基探测器的尺寸为0.5~100cm。所述等离激元肖特基探测器体积小,光谱分辨率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 离激元肖特基 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的