[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在审
| 申请号： | 202310650737.7 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116799114A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张毅;陈圣昌;陈景文;张骏 | 申请（专利权）人： | 湖北优炜芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00;H01L33/14;C30B31/22;C30B31/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 姜婷 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，本征层包括位错过滤层，位错过滤层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的超晶格结构，第一子层采用氮化铝硼作为生长材料，第二子层采用氮化铝作为生长材料；本发明通过在衬底与电子注入层之间的本征层内部设置位错过滤层，且位错过滤层为氮化铝硼与氮化铝交替形成的超晶格结构，该超晶格结构与衬底之间形成镜像力效应，从而使本征层与衬底的接触面产生的位错由于镜像力而弯曲，有效的降低了外延层的位错密度，进而提高了深紫外发光二极管的光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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