[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310675056.6 | 申请日： | 2023-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN116960733A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 程宗鸿;李亮;向上;熊永华;李海涛;马卫东 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 肖佳敏;浦彩华 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市武汉东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底，用于产生光波；光栅层，位于基底上，光栅层包括沿平行于基底所在平面的方向并列设置的第一光栅和第二光栅；其中，第一光栅具有第一周期，第二光栅具有第二周期，第一周期不同于第二周期，且第一周期和第二周期中的至少一个位于目标周期范围内；第一光栅和第二光栅中周期位于目标周期范围内的光栅用于从所述光波中分离出具有目标波长的光波。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310675056.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于校园管理的事件联动方法和系统
- 下一篇：一种提升管材硬度的方法
