[发明专利]一种深硅刻蚀方法及设备

摘要

本发明公开了一种深硅刻蚀方法及设备，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：a、采用刻蚀气体对晶圆进行深硅刻蚀，排出反应气体；b、通入高氟含量的刻蚀气体进行刻蚀，关闭背氦冷却系统，使晶圆温度升高；对侧壁进行各向同性刻蚀，排出反应气体；c、通入C4F8气体并对其离子化，沉积聚四氟乙烯钝化层，排出反应气体；d、通入刻蚀气体SF6，背氦冷却系统满功率工作；进行各向异性刻蚀，排出反应气体；e、对SiO2进行选择性各向同性腐蚀，释放出结构。本发明的方法在利用深硅刻蚀中的钝化层形成过程中直接沉积聚四氟乙烯防粘层，不仅可以简化工艺步骤，还有效避免了传统工艺流程中在结构释放后就产生的吸合粘连失效情况。