[发明专利]体硅内空腔结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310745056.9 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116854027A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 郑德印;王玮;张驰;张铁宾 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 体硅内 空腔 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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