[发明专利]采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法在审
| 申请号： | 202310861933.9 | 申请日： | 2023-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN116902907A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王江羽;夏军 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G02B26/10 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用金属牺牲层的MEMS微镜制备方法，属于MEMS微镜制备领域，首先在晶圆正面制备绝缘层，光刻图案化并刻蚀；在晶圆背部图案化，依次对衬底和绝缘层进行刻蚀，刻至器件层底部停止；在背部空腔制备金属牺牲层；在晶圆正面光刻图案化及器件层刻蚀，刻至金属牺牲层停止；最后去除金属牺牲层，释放镜面等器件层可动结构。本发明通过使用导电性良好的金属制备金属牺牲层，可以避免绝缘层上表面形成内建电场，防止干法刻蚀MEMS微镜器件层时的缺口效应，提升了器件可靠性和产品良率，同时工艺简单，为制备垂直静电梳齿型MEMS微镜提供了一种新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 金属 牺牲 mems 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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