[发明专利]基于双势阱复合沟道的高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202310878246.8 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116936612A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;亢昱杰;陈尧;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/201 | 分类号： | H01L29/201;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 辛菲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于双势阱复合沟道的高电子迁移率晶体管及制备方法，包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、复合沟道层、隔离层、delta‑doping平面掺杂层、势垒层；设置在势垒层两端的源极帽层和漏极帽层；设置在所述源极帽层上的源极电极；设置在漏极帽层上的漏极电极；设置在势垒层上的栅极电极；连续的设置在源极电极、源极帽层、势垒层、部分漏极帽层和部分源极电极上的钝化层。本发明利用双电子势阱提高了器件的输出电流，进一步提高了器件的频率特性，又在击穿特性上获得了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 势阱 复合 沟道 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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