[发明专利]RF放大器装置和制造方法在审
| 申请号： | 202310883996.4 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936548A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | B·努里;M·玛贝尔;S·什帕德;林广模;A·克姆珀施;母千里 | 申请（专利权）人： | 沃孚半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H03F3/195;H01L25/16;H01L23/367;H01L23/495;H03F1/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及RF放大器装置和制造方法。一种晶体管放大器包括半导体层结构，该半导体层结构包括第一主表面和第二主表面以及在第一主表面上并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管包括耦接到栅极歧管的栅极指、耦接到漏极歧管的漏极指、以及源极指。半导体层结构没有通向第二主表面上的源极指的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | rf 放大器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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