[发明专利]欧姆接触电极、其制备方法及碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 202310900854.4 | 申请日： | 2023-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN116936622A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;冯尹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 汪凡 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种欧姆接触电极、其制备方法及碳化硅半导体器件。该欧姆接触电极包括：欧姆接触层，具有第一表面；阻挡结构，位于欧姆接触层的具有第一表面的一侧，且阻挡结构包括沿第一方向顺序层叠的多层阻挡层，多层阻挡层中位于最外侧的阻挡层的体积密度大于其余阻挡层的体积密度，第一方向为背离第一表面的方向；电极层，位于阻挡结构背离欧姆接触层的一侧。采用本申请的电极结构，通过两侧高致密性的阻挡结构设计，能够分批次阻挡欧姆接触层和电极层中材料的相互扩散，实现了应力的逐层释放，提高了膜层质量，从而保证了电极结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 电极 制备 方法 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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