[发明专利]放射性核素固体靶溶靶装置及溶靶方法在审
| 申请号： | 202310916316.4 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116959769A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 魏星;徐强;高陶;余伟;梁季伟;王刚;岳文强;刘玉洪 | 申请（专利权）人： | 中广核同位素科技（绵阳）有限公司 |
| 主分类号： | G21G1/10 | 分类号： | G21G1/10;G21G1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供放射性核素固体靶溶靶装置及溶靶方法，包括：机架，机架为“L”形状的结构，机架的顶部设有靶室、和设于靶室一侧的导向室，靶室与导向室之间相互连通；溶解室溶解室安装在与靶室相对应的机架的一侧，溶解室的一侧设有开口，溶解室内装有将溶解液排入或排出溶解室的排液组件，溶解室的底部表面朝向排液组件所在位置倾斜；封压组件，封压组件安装在与靶室相对应的机架的另一侧，封压组件的动力输出端与开口相对应，以将靶件推压在开口对应的靶室的内壁。本发明无需操作人员过多干预，可实现密闭式的自动化溶靶作业，降低了对操作人员和环境造成的伤害，而且立式溶靶，溶解效率高，溶解液回收干净、彻底，且能及时回收漏液。 | ||
| 搜索关键词： | 放射性 核素 固体 靶溶靶 装置 方法 | ||
【主权项】：
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- 王飞;宋国芳;贾先禄;刘景源;杨光 - 中国原子能科学研究院
- 2019-11-04 - 2020-07-28 - G21G1/10
- 本实用新型涉及医用同位素生产靶的技术领域，尤其是涉及一种用于医用同位素生产靶的水冷机构。一种用于医用同位素生产靶的水冷机构，包括相连接的医用同位素生产靶靶体、生产靶前端盖以及水冷密封板，所述医用同位素生产靶靶体的其中一端成型有冷却槽，冷却槽包括进水槽、出水槽以及连接进水槽和出水槽的热交换槽，所述水冷密封板上开设有与进水槽相连的进水孔以及与出水槽相连通的出水孔。通过进水孔向冷却槽内注入冷却水，冷却水从净水槽经过热交换槽后进入出水槽，然后通过出水孔排出。由于是通过冷却水将热量带走，而且后续还会不断向冷却槽内输入新的冷却水，因此能够使得水冷机构一致维持在高效降温的状态。
- 放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置-201880062862.3
- 石冈典子;近藤浩夫;渡边茂树 - 国立研究开发法人量子科学技术研究开发机构
- 2018-10-30 - 2020-05-15 - G21G1/10
- 本发明提供一种抑制制造时间的放射性同位素的制造方法。放射性同位素制造方法包括：对标的物质照射放射线束的步骤；以及将因照射上述放射线束而生成并转移到气体中的上述放射性同位素从该气体提取的步骤。
- 一种基于电子加速器的二级辐照生产
- 冷志涛;陈浩;周霖 - 成都米纳克企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
- 2019-12-03 - 2020-04-17 - G21G1/10
- 本发明公开了一种基于电子加速器的二级辐照生产
- 一种用于医用同位素生产靶的水冷机构-201911066928.9
- 王飞;宋国芳;贾先禄;刘景源;杨光 - 中国原子能科学研究院
- 2019-11-04 - 2020-02-21 - G21G1/10
- 本发明涉及医用同位素生产靶的技术领域，尤其是涉及一种用于医用同位素生产靶的水冷机构。一种用于医用同位素生产靶的水冷机构，包括相连接的医用同位素生产靶靶体、生产靶前端盖以及水冷密封板，所述医用同位素生产靶靶体的其中一端成型有冷却槽，冷却槽包括进水槽、出水槽以及连接进水槽和出水槽的热交换槽，所述水冷密封板上开设有与进水槽相连的进水孔以及与出水槽相连通的出水孔。通过进水孔向冷却槽内注入冷却水，冷却水从净水槽经过热交换槽后进入出水槽，然后通过出水孔排出。由于是通过冷却水将热量带走，而且后续还会不断向冷却槽内输入新的冷却水，因此能够使得水冷机构一致维持在高效降温的状态。
- 放射性同位素制造装置-201910115856.6
- 村上喜信;F·圭拉 - 住友重机械工业株式会社
- 2019-02-15 - 2019-08-27 - G21G1/10
- 本发明提供一种提高放射性同位素的产量的放射性同位素制造装置。本发明的放射性同位素制造装置(1)具备：粒子加速器；第1靶部，从粒子加速器射出的带电粒子束射入并通过；及第2靶部，射入有通过了第1靶部的带电粒子束。在第1靶部(11)中，在射束通路(15)内保持有靶材(17)，且具有向靶材(17)喷吹冷却气体的冷却气体供给部(51)。在第2靶部(12)中，靶基板(35)保持于射束轴(B)上，且靶基板(35)中带电粒子束的下游侧的面被冷却水冷却。射束轴(B)上的第1靶部(11)的靶箔(16)的总厚度比射束轴(B)上的第2靶部(12)的靶基板(35)的厚度小。
- 专利分类
