[发明专利]一种铅基杂化半导体材料及其光电探测应用在审
| 申请号： | 202310939428.1 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116947655A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 唐雪娜;刘广宁;高城城;王婷婕;李村成 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07C211/64 | 分类号： | C07C211/64;H10K30/60;H10K85/50;C07C209/00;C09K11/06;C09K11/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种二维铅基有机‑无机杂化光电半导体材料及其制备方法。所述的发光半导体分子结构式为(Br‑Hpy) |
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| 搜索关键词： | 一种 铅基杂化 半导体材料 及其 光电 探测 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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