[发明专利]掩膜版、掩膜版的制造方法及半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种掩膜版、掩膜版的制造方法及半导体结构的形成方法。具体的，其可以是在基板的一侧的一个表面上形成两层遮光层，其还可以是在基板的两侧的两个表面上分别形成一层遮光层，然后，根据实际曝光设备的单次曝光焦深对两层遮光层之间的空间高度差进行设置，进而实现让位于同一块掩膜版上的两层遮光层在每次单次曝光时，均只有一层遮光层上的图案可以对焦曝光，即，实现了在进行曝光之前对掩膜版上所包含的曝光图案进行对位误差消除，并最终达到减少掩膜版的数量、降低掩膜版和半导体器件的制造成本的目的。