[发明专利]掩模版优化方法、装置及曝光设备在审

专利信息
申请号: 202311197950.3 申请日: 2023-09-18
公开(公告)号: CN116931363A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 和琨;牛志元;菅彦彬;杜德川;韦炳威 申请(专利权)人: 光科芯图(北京)科技有限公司
主分类号: G03F1/68 分类号: G03F1/68
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 胡晓静
地址: 102399 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及计算光刻技术领域,公开了掩模版优化方法、装置及曝光设备,包括:获取初始图形区域、初始平面与全息面,初始图形区域位于初始平面上;基于初始图形区域,在全息面上划分得到第二图形区域;根据全息面的全息透射率分布,确定第二图形区域的对应的全息二值振幅掩模版,实现掩模优化。本发明通过在原掩模版上设置零透过光区域,在未增加任何计算复杂度及加工制造难度的情况下,减弱了零级衍射光对重建像的影响,提高了重建质量。
搜索关键词: 模版 优化 方法 装置 曝光 设备
【主权项】:
暂无信息
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